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저장 장치 및 그것의 동작 방법(STORAGE DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018002215
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 k 비트 멀티 레벨 셀들을 갖는 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 제어기를 포함하는 저장 장치의 디코딩 방법을 개시한다. 본 발명은, 멀티 레벨 셀들로부터 회 이하의 센싱 동작들을 수행하는 단계, RIO(random input/output) 코드를 이용하여 채널 에러를 정정하면서 상기 센싱 동작들의 각각에 대응하는 페이지들을 디코딩하는 단계, 및 상기 디코딩된 페이지들로부터 사용자 데이터를 추출하는 단계를 포함할 수 있다. 이로써, 읽기 성능을 향상시키면서 동시에 채널 에러 특성을 좋게 할 수 있다.
Int. CL G06F 11/07 (2016.09.23) G06F 12/02 (2016.09.23) G06F 11/10 (2016.09.23)
CPC G06F 11/0745(2013.01) G06F 11/0745(2013.01) G06F 11/0745(2013.01) G06F 11/0745(2013.01) G06F 11/0745(2013.01)
출원번호/일자 1020160105370 (2016.08.19)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0021324 (2018.03.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정세영 미국 대전 유성구
2 조, 란영 중국 대전 유성구
3 최성익 대한민국 대전 유성구
4 이동환 대한민국 경기 남양주시
5 공준진 대한민국 경기 용인시 수지구
6 설창규 대한민국 경기도 오산시 수목원로 ***
7 소혜정 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 손홍락 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0806230-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저장 장치의 동작 방법에 있어서:RIO(random input/output) 코드를 이용하여 사용자 데이터를 인코딩 하는 단계;상기 인코딩된 데이터를 멀티 레벨 셀들로 프로그램시키는 단계; 및상기 멀티 레벨 셀들로부터 한 번의 메모리 센싱에 의해 상기 사용자 데이터의 일부를 읽는 단계; 및상기 RIO 코드를 이용하여 채널 에러를 정정하면서 상기 읽혀진 데이터를 디코딩하는 단계를 포함하고,상기 RIO 코드는 채널 에러를 정정하기 위한 채널 코드를 포함하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 멀티 레벨 셀들의 각각은 k 비트 데이터를 저장하고,상기 멀티 레벨 셀들에 저장된 상기 인코딩된 데이터는 회(여기서, 는 floor 연산자) 회 이하의 센싱 동작들에 의해 읽혀지는 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 RIO 코드는 폴라 코드를 이용하여 구현되고,상기 인코딩 데이터는 메시지 비트들, 채널 코드 패리티, 및 RIO 코드 패리티를 포함하는 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 인코딩 데이터에서 상기 메시지 비트들, 상기 채널 코드 패리티, 및 상기 RIO 코드 패리티 중 적어도 하나의 위치는 컨디셔널 엔트로피(conditional entropy)에 의해 결정되는 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 인코딩 데이터에서 상기 메시지 비트들, 상기 채널 코드 패리티, 및 상기 RIO 코드 패리티 중 적어도 하나의 위치는 바타챠야(Bhataacharyya) 파라미터에 의해 결정되는 방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 인코딩 데이터에서 상기 RIO 코드 패리티는 연속적인 제거거(successive cancellation) 혹은 리스트 연속적인 제거(list successive cancellation)로 결정되는 방법
7 7
k 비트 멀티 레벨 셀들을 갖는 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 제어기를 포함하는 저장 장치의 디코딩 방법에 있어서:멀티 레벨 셀들로부터 회(여기서, 는 floor 연산자) 이하의 센싱 동작들을 수행하는 단계;RIO(random input/output) 코드를 이용하여 채널 에러를 정정하면서 상기 센싱 동작들의 각각에 대응하는 페이지들을 디코딩하는 단계; 및상기 디코딩된 페이지들로부터 사용자 데이터를 추출하는 단계를 포함하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서,ECC(error correction code)를 이용하여 상기 디코딩된 페이지들의 각각의 에러를 정정하는 단계를 더 포함하는 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 디코딩하는 단계는,복수의 RIO 디코더들에 의해 대응하는 페이지들의 각각을 디코딩하는 단계를 포함하는 방법
10 10
k-비트 멀티 레벨 셀들을 갖는 적어도 하나의 비휘발성 메모리 장치; 및상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리 장치를 제어하는 메모리 제어기를 포함하고,상기 메모리 제어기는,사용자 데이터를 제 1 코드를 이용하여 인코딩하는 에러 정정 인코더;상기 제 1 인코딩된 데이터를 제 2 코드를 이용하여 인코딩 하는 RIO(random input/output) 인코더;상기 k-비트 멀티 레벨 셀들로부터 회(여기서, 는 floor 연산자) 이하의 센싱 동작들을 통하여 읽혀진 페이지들을 채널 에러를 복구하면서 상기 제 2 코드를 이용하여 디코딩하는 RIO 디코더; 및에러 정정을 위해 상기 디코딩된 페이지들의 각각을 상기 제 1 코드를 이용하여 디코딩하는 에러 정정 디코더를 포함하는 저장 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10459788 US 미국 FAMILY
2 US20180052733 US 미국 FAMILY

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1 US10459788 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018052733 US 미국 DOCDBFAMILY
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