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저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법(Resistance Random Access Memory Device and Method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017005882
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 저항변화 메모리 소자는 불활성 전극, 상기 불활성 전극 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층 및 상기 저항변화층 상에 위치하는 활성 전극을 포함하고, 상기 활성 전극은 FCC 구조를 갖는 TaNx 물질이고, 상기 X는 0.9 내지 1.1인 것을 특징으로 한다. 따라서, 온/오프 전류비(on/off current ratio)가 대폭 향상된 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1233(2013.01)
출원번호/일자 1020150126064 (2015.09.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0029674 (2017.03.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 김태윤 대한민국 서울특별시 성동구
3 이아람 대한민국 경상남도 김해
4 백광호 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0865558-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0780770-13
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1277428-24
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1277429-70
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353065-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불활성 전극;상기 불활성 전극 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하는 활성 전극을 포함하고,상기 활성 전극은 FCC 구조를 갖는 TaNx 물질이고, 상기 X는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 불활성전극은 Pt 또는 W를 포함하는 저항변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 불활성 전극은 TaNy 물질이고, 상기 Y는 1
4 4
제1항에 있어서,상기 저항변화층은 Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 금속 필라멘트는 상기 저항변화층 내부의 산소이온의 산화환원 반응에 의해 형성 및 소멸되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
기판 상에 불활성 전극을 형성하는 단계;상기 불활성 전극 상에 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항변화층 상에 활성 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 활성 전극은 FCC 구조를 갖는 TaNx 물질이고, 상기 X는 0
10 10
제9항에 있어서,상기 불활성 전극은 TaNy 물질이고, 상기 Y는 1
11 11
제9항에 있어서,상기 저항변화층은 Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.