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제1 금속산화물 전구체 용액 내에 분산된 제1 금속산화물 나노입자들을 구비하는 졸 상태의 제1 금속산화물 전구체층과 제2 금속산화물 전구체 용액 내에 분산된 제2 금속산화물 나노입자들을 구비하는 졸 상태의 제2 금속 산화물 전구체층이 적층된 스택을 제공하고,상기 제1 금속산화물 전구체층과 상기 제2 금속산화물 전구체층이 적층된 스택을 열처리하여 금속산화물막을 형성하되,상기 제1 금속산화물 나노입자들은 상기 제2 금속산화물 나노입자들과 서로 다른 형태 또는 직경을 갖는, 금속 산화물막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 졸 상태의 제1 금속산화물 전구체층은, 제1 금속산화물 전구체 용액 내에 분산된 제1 금속산화물 나노입자들을 구비하는 금속산화물 졸을 기판 상에 코팅하여 형성하고,상기 졸 상태의 제2 금속산화물 전구체층은, 제2 금속산화물 전구체 용액 내에 분산된 제2 금속산화물 나노입자들을 구비하는 금속산화물 졸을 상기 제1 금속산화물 전구체층 상에 도포하여 형성하는, 금속 산화물막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 졸 상태의 제1 금속산화물 전구체층은 산성의 pH를 갖고, 상기 제1 금속산화물 나노입자들을 선형의 입자형태를 갖고,상기 졸 상태의 제2 금속 산화물 전구체층은 염기성의 pH를 갖고, 상기 제2 금속산화물 나노입자들 구형의 입자형태를 갖는, 금속 산화물막 제조방법
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제3항에 있어서,상기 산성의 pH는 2 내지 4의 pH이고,상기 염기성의 pH는 7
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제1항에 있어서,상기 졸 상태의 제1 금속산화물 전구체층과 상기 졸 상태의 제2 금속 산화물 전구체층은 모두 염기성의 pH를 갖되, 상기 제2 금속산화물 전구체층은 상기 제1 금속산화물 전구체층 대비 더 큰 pH를 나타내고,상기 제1 금속산화물 나노입자와 제2 금속산화물 나노입자는 모두 구형의 나노입자들이되, 상기 제2 금속산화물 나노입자는 제1 금속산화물 나노입자 대비 더 큰 직경을 갖는 구형의 나노입자인, 금속 산화물막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속산화물 전구체층은 약알칼리성이고,상기 제2 금속산화물 전구체층은 강알칼리성인, 금속 산화물막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리 단계에서, 상기 제1 및 제2 금속산화물 전구체층들은 겔화, 겔의 숙성(aging), 건조, 및 소결되어 상기 금속산화물층을 형성하고,상기 금속산화물층 내에 상기 제1 및 제2 금속산화물 전구체 용액으로부터 유도된 금속산화물 매트릭스와 상기 금속산화물 매트릭스 내에 상기 제1 및 제2 금속산화물 나노입자들이 분산된, 금속 산화물막 제조방법
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하부 전극을 제공하는 단계;상기 하부 전극 상에, 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 금속산화물막 제조방법을 수행하여 금속산화물막을 형성하는 단계; 상기 금속산화물막 상에 상부전극을 제공하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속산화물막은 실리카막인 반도체 소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 상부전극은 Ag층 또는 Cu층이고,상기 반도체 소자는 저항변화메모리인 반도체 소자 제조방법
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금속산화물 매트릭스; 및상기 금속산화물 매트릭스 내에 분산된 제1 금속산화물 나노입자들과 제2 금속산화물 나노입자들을 포함하고,상기 제1 금속산화물 나노입자들은 상기 제2 금속산화물 나노입자들과 서로 다른 형태 또는 직경을 갖는, 금속 산화물막
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제11항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 나노입자들을 선형의 입자형태를 갖고,상기 제2 금속산화물 나노입자들 구형의 입자형태를 갖는, 금속 산화물막
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제11항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 나노입자와 제2 금속산화물 나노입자는 모두 구형의 나노입자들이되, 상기 제2 금속산화물 나노입자는 제1 금속산화물 나노입자 대비 더 큰 직경을 갖는 구형의 나노입자인, 금속 산화물막
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하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되고, 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항의 금속산화물막; 상기 금속산화물막 상에 배치된 상부전극을 포함하는 반도체 소자
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제14항에 있어서,상기 금속산화물막은 실리카막인 반도체 소자
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제15항에 있어서,상기 상부전극은 Ag층 또는 Cu층이고,상기 반도체 소자는 저항변화메모리인 반도체 소자
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