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신규한바이폴라트랜지스터및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119060
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45) 및 에미터 캡층(46); 및 에미터 전극(48), 베이스 전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하며, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터 간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01.01) H01L 29/08 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/417 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 29/10 (2006.01.01)
CPC H01L 29/73(2013.01) H01L 29/73(2013.01) H01L 29/73(2013.01) H01L 29/73(2013.01) H01L 29/73(2013.01) H01L 29/73(2013.01)
출원번호/일자 1019950000788 (1995.01.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0155220-0000 (1998.07.14)
공개번호/일자 10-1996-0030435 (1996.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.01.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손정환 대한민국 대전직할시서구
2 홍성철 대한민국 대전직할시유성구
3 권영세 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.01.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0003586-53
2 특허출원서
Patent Application		 1995.01.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0003585-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.01.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0003587-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0001815-61
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0003588-44
6 의견서
Written Opinion		 1998.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0003589-90
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0001816-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110°방향)과 10° 내지 40°의 각을 이루면서 유전체박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)상에는 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 삼각형 모양의 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45) 및 에미터 캡층(46); 및 에미터 전극(48), 베이스 전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하는 바이폴라 트랜지스터

2 2

(i) 단결정 기판 상에 유전체 박막을 사용하여 수평방향(단결정기판의 110°방향)과 10° 내지 40°의 각을 이루어 마스크를 형성하는 공정; (ii) 전기 마스크의 상부에 빈 공간이 형성되도록 선택적 에피택시 공정에 의해 서브 콜렉터증, 베이스층, 에미터 층 및 에미터갭층을 형성하는 공정; 및, (iii) 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 형성하기 위한 식각 및 전극형성공정을 포함하는 바이폴라 트랜지스터 제조 방법

3 3

제2항에 있어서, 단결정 기판으로는 GaAs기판, InP기판, GaP,기판 및 Si기판으로부터 선택된 1종의 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 선택적 에피택시 공정으로는 유기금속화학 증착법, 분자선 에피택시 공정, 기상에피택시 공정 및 액상에피택시 공정으로부터 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.