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구동 소자로서,기판;상기 기판 위에 위치하는 절연층;상기 절연층의 적어도 일부 영역 위에 위치하고 금속 산화물을 포함하는 채널층; 및상기 채널층과 연결되어 있으며, 상기 채널층을 중심으로 양측으로 마주하도록 상기 절연층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 절연층은, 상기 기판의 바로 위에 형성되는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층의 상면의 중앙에 일정 높이로 폭 방향을 따라 형성되어 있는 제2 절연층을 포함하며,상기 제2 절연층의 길이(LI2)는 상기 제1 절연층의 길이(LI1)보다 작고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 마주하는 상기 제2 절연층의 양 측부에는 단차부가 형성되어 있으며,상기 단차부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 대해 길이 방향으로 이격되어 있고, 상기 단차부에 의해 상기 채널층 중에 단차가 형성되는 것인, 구동 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 절연층의 높이는 제1 절연층 및 제2 절연층 높이의 합의 10% 이상인 것인, 구동 소자
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제2항에 있어서,상기 제2 절연층의 높이는 제1 절연층 및 제2 절연층 높이의 합의 30% 이상인 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단차부와 상기 소스 전극 사이 및 상기 단차부와 상기 드레인 전극 사이의 채널층에 n+ 확산 영역이 형성되어 있는 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 채널층의 길이(Lc)는 상기 제2 절연층의 길이(LI2)보다 긴 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 채널층 상에 위치하는 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 위에 위치하는 게이트 전극을 더 포함하는 구동 소자
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제6항에 있어서,상기 제2 절연층의 길이(LI2)는 상기 게이트 전극의 길이 이하인 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 채널층의 금속 산화물은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)을 포함하는 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNy) 및 알루미나(Al2O3) 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 구동 소자
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10
제6항에 있어서,상기 게이트 절연층은 실리콘 산화물 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구동 소자는 상기 채널층의 길이(Lc)가 3 ㎛ 미만인 단 채널 구동 소자인 것인, 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 따른 구동 소자의 제조방법으로서,기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층의 상면의 중앙에 일정 높이로 폭 방향을 따라 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층의 적어도 일부 및 상기 제2 절연층 전부를 덮도록 금속 산화물을 포함하는 채널층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층의 길이 이상의 길이로 상기 채널층 상에 게이트 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널층을 중심으로 양측으로 마주하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 마주하는 상기 제2 절연층의 양 측부에는 단차부가 형성되어 있으며,상기 단차부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 대해 길이 방향으로 이격되어 있고, 상기 단차부에 의해 상기 채널층 중에 단차가 형성되는 것인, 구동 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 구동 소자는 상기 채널층의 길이(Lc)가 3 ㎛ 미만인 단 채널 구동 소자인 것인, 구동 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 채널층의 금속 산화물은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)을 포함하는 것인, 구동 소자의 제조방법
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