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나노크기 이하의 기공을 가지는 카본나이트라이드 나노튜브, 이의 제조방법 및 카본나이트라이드 나노튜브의 기공 크기와 양을 조절하는 방법

  • 기술번호 : KST2014007699
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노크기 이하의 기공을 가지는카본나이트라이드(Carbonnitride, C1-xNx) 나노튜브, 이의 제조방법 및 C1-xNx 나노튜브의 기공 크기와 양을 조절하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 1nm 이하의 크기를 지니는 기공을 나노튜브 구조전체에 가지는 C1-XNX 나노튜브 및 이의 제조방법 제공을 다른 목적으로 한다.본 발명은 1nm 이하의 크기를 지니는 기공을 나노튜브 구조전체에 가지는 C1-XNX 나노튜브 제조시 1nm 이하의 크기를 지니는 기공의 크기와 양을 조절하는 방법을 또 다른 목적으로 한다. 본 발명은 금속촉매 입자 존재하에서 탄화수소가스와 질소가스를 플라즈마 화학기상증착법(plasma CVD)으로 반응시켜 나노크기 이하의 기공을 가지는 C1-xNx 나노튜브를 제조할 수 있다. 상기의 C1-xNx 나노튜브에서 x는 0.001∼0.2이다.
Int. CL C01B 21/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020050129888 (2005.12.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0801192-0000 (2008.01.29)
공개번호/일자 10-2007-0068126 (2007.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20080211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정구 대한민국 대전 유성구
2 이재영 대한민국 서울특별시 광진구
3 김현석 대한민국 대전 유성구
4 양성호 대한민국 대전 유성구
5 한규성 대한민국 대전 유성구
6 김세윤 대한민국 대전 유성구
7 이정우 대한민국 대전 유성구
8 신원호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0763590-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0067029-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0681308-42
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0053171-64
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0053169-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0262529-09
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0404641-55
9 의견서
Written Opinion		 2007.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0404644-92
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0599618-78
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.11.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0045790-68
12 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0018413-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
직경이 5∼10Å인 기공을 가지는 C1-xNx 나노튜브
2 2
삭제
3 3
금속촉매 존재하에 탄화수소가스와 질소가스를 반응시켜 직경이 5∼10Å인 기공을 지니는 C1-xNx 나노튜브의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 탄화수소가스 10∼90％, 질소가스 10∼90％를 금속촉매 존재하에 플라즈마 화학기상증착법으로 반응시켜 나노튜브를 성장시킴을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 금속촉매는 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 이들의 금속이 포함된 금속화합물 중에서 선택된 어느 하나 임을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 탄화수소가스는 탄소수가 1∼10인 탄화수소가스 임을 특징으로 하는 제조방법
7 7
삭제
8 8
금속촉매 존재하에 탄화수소가스, 질소가스, 산소가스를 반응시켜 C1-xNx 나노튜브의 기공 크기와 기공의 양을 조절하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 탄화수소가스 9∼89％, 질소가스 10∼90％, 산소가스 1∼50％를 금속촉매 존재하에 플라즈마 화학기상증착법으로 반응시키는 것을 특징으로 하는 조절방법
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서, 산소가스 대신 수소가스를 첨가하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 조절방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.