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비 휘발성 메모리 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015112504
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비 휘발성 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 비 휘발성 메모리는 기판 및 상기 기판 상에 형성되고, 일함수가 다른 둘 이상의 부유 게이트를 포함하는 게이트 구조체를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 더욱 넓은 메모리 마진을 확보하고, 저장시간과 소거동작에서의 특성을 향상시킬 수 있는 등의 효과가 있다.비 휘발성 메모리, 메모리 마진, 부유 게이트, 나노 결정, 소거 속도
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/42324(2013.01) H01L 29/42324(2013.01) H01L 29/42324(2013.01) H01L 29/42324(2013.01)
출원번호/일자 1020060083271 (2006.08.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0806087-0000 (2008.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.31)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류승완 대한민국 대전 유성구
2 최양규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0629537-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0030914-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0452195-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0742801-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0742744-98
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0075480-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및상기 기판 상에 형성된 터널링 유전막, 상기 터널링 유전막 상에 형성된 제1 부유 게이트, 상기 제1 부유 게이트 상에 형성된 계면 유전막, 상기 계면 유전막 상에 형성되고 상기 제1 부유 게이트의 일함수보다 큰 일함수를 갖는 제2 부유 게이트, 상기 제2 부유 게이트 상에 형성된 제어 유전막 및 상기 제어 유전막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 게이트 구조체;를 포함하는 비 휘발성 메모리
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 부유 게이트는 나노 결정화된 비 휘발성 메모리
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 부유 게이트는 실리콘인 비 휘발성 메모리
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 부유 게이트는 5족 불순물이 주입된 나노 결정화된 실리콘이고,상기 제2 부유 게이트는 3족 불순물이 주입된 나노 결정화된 실리콘인 비휘발성 메모리
7 7
제1 항에 있어서,상기 계면 유전막의 두께는 1 나노미터 이상 3 나노미터 미만인 비 휘발성 메모리
8 8
제1 항에 있어서,상기 계면 유전막의 두께는 3 나노미터 이상 10 나노미터 이하인 비 휘발성 메모리
9 9
기판 상에 터널링 유전막을 형성하는 단계, 상기 터널링 유전막 상에 제1 부유 게이트를 형성하는 단계, 상기 제1 부유 게이트 상에 계면 유전막을 형성하는 단계, 상기 계면 유전막 상에 상기 제1 부유 게이트의 일함수보다 큰 일함수를 갖는 제2 부유 게이트를 형성하는 단계, 상기 제2 부유 게이트 상에 제어 유전막을 형성하는 단계 및 상기 제어 유전막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 게이트 구조체를 형성하는 단계; 및상기 기판에 불순물을 주입하여 소스, 드레인 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 비 휘발성 메모리 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 부유 게이트는 실리콘인 비 휘발성 메모리 제조방법
11 11
삭제
12 12
제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 부유 게이트는 나노 결정화된 비 휘발성 메모리 제조방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제9 항에 있어서,상기 제1 부유 게이트는 5족 불순물이 주입된 나노 결정화된 실리콘이고,상기 제2 부유 게이트는 3족 불순물이 주입된 나노 결정화된 실리콘인 비 휘발성 메모리 제조방법
16 16
제9 항에 있어서,상기 계면 유전막의 두께는 1 나노미터 이상 3 나노미터 미만인 비 휘발성 메모리 제조방법
17 17
제9 항에 있어서,상기 계면 유전막의 두께는 3 나노미터 이상 10 나노미터 이하인 비 휘발성 메모리 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.