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질소 원자가 선택적으로 도핑된 ＴｉＯ2-ｘＮｘ 나노튜브 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113084
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TiO2-xNx(0.01≤x≤0.2) 나노튜브 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질소 가스로 형성된 플라즈마를 이용하여 TiO2 나노튜브를 처리함으로써 TiO2 구조에서 산소를 부분적으로 질소로 치환하는 공정에 의하여 질소를 원자 단위로 도핑하는 TiO2-xNx 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 TiO2 나노튜브에 질소가 도핑됨으로써 전자구조가 조절되어 밴드갭(band gap)이 감소함으로 인하여 전도성이 향상되고 광흡수 영역 또한 자외선에서 가시광선 영역으로 확장되어 광, 전기 화학적으로 보다 향상된 응용 성능을 갖는 TiO2-xNx 나노튜브를 제공한다. 이산화티타늄(TiO2) 나노튜브, 플라즈마, 질소 도핑, TiO2-xNx 나노튜브
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080081384 (2008.08.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1043584-0000 (2011.06.16)
공개번호/일자 10-2010-0022726 (2010.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정구 대한민국 대전 유성구
2 한규성 대한민국 대전 유성구
3 이정우 대한민국 대전 유성구
4 강용묵 대한민국 충청남도 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0593067-79
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315791-69
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614557-25
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0689501-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765186-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0765188-88
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0294924-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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광, 전기화학적 성능 향상을 위해 TiO2 나노튜브에 플라즈마로 질소를 도핑하되; 상기 도핑된 질소는 TiO2 구조의 산소를 치환하는 형태로 도핑되어 TiO2 격자의 내부에서 질소가 원자 상태로 존재하여 TiO2-xNx 구조를 형성하것을 특징으로 하고; 상기 플라즈마에 포함되는 질소가 10∼200sccm의 유량인 것을 특징으로 하고; 상기 플라즈마 처리 단계는 400∼800W의 플라즈마 파워 및 50∼400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는; TiO2-xNx(0
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08158034 US 미국 FAMILY
2 US20100044630 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010044630 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8158034 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.