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화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2014022267
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극 및 이를 이용한 화합물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 질화물계 화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 p형 전극에 있어서, 본 발명에 따른 상기 p형 전극은: 상기 p형 반도체층 위에 적층된, 투명한 성질을 가지는 전도성의 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 위에 적층되는 고반사율의 제 2 전극층; 및 열처리시 상기 제 2 전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 제 2 전극층 위에 적층되는 제 3 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성의 본 발명에 따르면, Ⅲ족 질화물 반도체 위에 형성된 p형 전극이 어닐링 과정에서 뭉치게 되어 전극의 저항이 높아지게 되는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물 반도체 발광소자는 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN, 질화물 반도체
Int. CL H01L 33/36 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020040000567 (2004.01.06)
출원인 삼성엘이디 주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0978234-0000 (2010.08.20)
공개번호/일자 10-2005-0072521 (2005.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20100826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.26)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성엘이디 주식회사 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 경기도화성군
2 성태연 대한민국 광주광역시북구
3 조제희 대한민국 경기도수원시팔달구
4 송준오 대한민국 광주광역시북구
5 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0003608-05
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2004.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-5002364-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0893074-47
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0002842-54
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0212117-32
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0226706-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5008827-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 p형 전극에 있어서, 상기 p형 반도체층 위에 적층된 전도성 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 위에 적층되는 고반사율의 제 2 전극층; 및 열처리시 상기 제 2 전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 제 2 전극층 위에 적층되는 전도성 제 3 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 La-계 합금, Ni-계 합금, Zn-계 합금, Cu-계 합금, 열전산화물(Thermoelectric Oxide), 도핑된 In 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극층은, Zn-Ni 합금, Ni-Mg 합금, Zn-Mg 합금, Mg가 도핑된 In 산화물로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께는 0
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께는, 실질적으로 3nm인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 Ag, Rh, Al, Sn 으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은, Ag 를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는 50nm 내지 1000nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는, 실질적으로 200nm 인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, 도핑된 In 산화물, Cu, Cu-계 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은, Ni, Rh, Ni-Zn, Ni-Mg, Cu, Cu-계 합금으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 제 3 전극층의 두께는 1nm 내지 500nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제 3 전극층의 두께는, 실질적으로 20nm인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 전극층은, 전사빔 증착기를 이용하여 순차적으로 증착된 후 300℃ 내지 600℃ 의 온도 범위 내에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
15 15
화합물 반도체 발광소자의 p형 반도체층 위에 적층되는 p형 전극에 있어서, 상기 p형 전극은: 상기 p형 반도체층 위에 적층되는 고반사율의 제 2 전극층; 및 열처리시 상기 제 2 전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 제 2 전극층 위에 적층되는 전도성의 제 3 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 Ag, Rh, Al, Sn 으로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은, Ag 를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는 100nm 내지 1000nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 제 2 전극층의 두께는, 실질적으로 200nm 인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
20 20
제 15 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, In-도핑 산화물로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은, Ni, Rh, Ni-Zn, Ni-Mg 으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
22 22
제 20 항에 있어서, 상기 제 3 전극층의 두께는 1nm 내지 200nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 제 3 전극층의 두께는, 실질적으로 20nm인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
24 24
제 15 항에 있어서, 상기 제 2 전극층 및 제 3 전극층은, 전사빔 증착기를 이용하여 순차적으로 증착된 후 300℃ 내지 600℃ 의 온도 범위 내에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 저저항 전극
25 25
n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 발광을 위한 활성층을 갖는 질화물계 화합물 반도체층; 상기 p형 반도체층 위에 적층되는 고반사율의 제 2 전극층; 및 열처리시 상기 제 2 전극층의 뭉침 현상을 방지하기 위하여 상기 제 2 전극층 위에 적층되는 전도성 제 3 전극층을 포함하며, 상기 제 3 전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이는 상기 제 2 전극층과 p형 반도체층 사이의 표면에너지의 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
26 26
제 25 항에 있어서, 상기 p형 반도체층 과 제 2 전극층 사이에 투명한 전도성 제 1 전극층을 더 가지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
27 27
제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은 Zn, Zn-계 합금, Rh, Mg-계 합금, Au, Ni, Ni-계 합금, In-도핑 산화물로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
28 28
제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 La-계 합금, Ni-계 합금, Zn-계 합금, Cu-계 합금, 열전산화물(Thermoelectric Oxide), In-도핑 산화물(doped In Oxide), ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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1 JP04856870 JP 일본 FAMILY
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4 US07960746 US 미국 FAMILY
5 US08405109 US 미국 FAMILY
6 US20050145876 US 미국 FAMILY
7 US20110198652 US 미국 FAMILY

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4 JP4856870 JP 일본 DOCDBFAMILY
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6 US7960746 US 미국 DOCDBFAMILY
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