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방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법

  • 기술번호 : KST2014050291
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 방전가공(Electric Discharge Machining ; EDM)방법을 이용하여 도전성 재질의 구조체 표면에 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하되, 방전가공 과정에서 구조체 표면에 자연스럽게 형성되는 나노 사이즈의 표면 거칠기를 이용하여 마이크로/나노 이중구조를 형성함으로써 간단한 공정제어와 비교적 적은 비용으로 다양한 형상의 구조체에 소수성(hydrophobic) 표면을 효과적으로 구현할 수 있는 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법은, 와이어를 이용한 방전가공(Electric discharge machining ; EDM)을 통하여 구조체 표면에 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하되, 상기 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하는 방전가공 과정에서 발생되는 스파크에 의해 상기 마이크로 사이즈의 패턴이 형성된 구조체의 표면에 나노 사이즈의 표면 거칠기를 형성함으로써 구조체의 표면에 마이크로/나노 이중구조를 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B23H 9/00 (2006.01.01) B23H 7/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B23H 9/008(2013.01) B23H 9/008(2013.01) B23H 9/008(2013.01) B23H 9/008(2013.01)
출원번호/일자 1020110031026 (2011.04.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1377743-0000 (2014.03.17)
공개번호/일자 10-2012-0113357 (2012.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20140321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서갑양 대한민국 서울특별시 관악구
2 배원규 대한민국 경상남도 통영시 여황로
3 주종남 대한민국 서울특별시 서초구
4 송기영 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0245607-00
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0032136-50
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0358724-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2012-0069996-48
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0669814-58
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0009147-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0110254-23
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0110255-79
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0442625-58
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0773960-66
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0773959-19
15 등록결정서
Decision to grant
2013.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0872150-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
와이어를 이용한 방전가공(Electric discharge machining ; EDM)을 통하여 구조체 표면에 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하되, 상기 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하는 방전가공 과정에서 발생되는 스파크에 의해 상기 마이크로 사이즈의 패턴이 형성된 구조체의 표면에 나노 사이즈의 표면 거칠기를 형성함으로써 구조체의 표면에 소수성(hydrophobic)을 갖는 마이크로/나노 이중구조를 형성하는 방법에 있어서,상기 구조체 표면에 마이크로 사이즈의 패턴을 형성하는 방전가공은,구조체를 테이블에 장착하고, 구동수단을 이용하여 구조체가 장착된 테이블을 미세 구동시켜가며 상기 구조체와 와이어 사이에서 발생하는 방전현상을 이용하여 구조체의 표면을 가공하는 공정으로 수행되며,구조체의 표면에 1차 황삭 가공, 2차 중삭 가공, 3차 정삭 가공 및 4차 정삭 가공이 순차적으로 이루어지는 반복적인 방전가공을 통해 이루어지되, 방전가공 공정의 차수가 증가할수록 방전가공에 적용되는 에너지의 크기를 감소시켜 가면서 수행하여,상기 방전가공 공정의 차수에 따라 차별적으로 적용되는 방전가공 에너지의 크기 조절을 통해,상기 구조체의 표면에 형성되는 마이크로 사이즈 패턴을 10㎛ 내지 1000㎛의 폭과 10㎛ 내지 200㎛의 높이를 갖는 물결 형상의 패턴이 반복되도록 형성함과 동시에,상기 마이크로 사이즈 패턴 상에 형성되는 나노 사이즈의 표면 거칠기 정도를 100㎚ 내지 5000㎚의 평균 높이를 갖도록 형성함으로써,150°이상의 물방울 접촉각을 갖는 소수성 표면을 구현하는 것을 특징으로 하는 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 구조체는,도전성 물질로 이루어진 구조체이거나, 또는 표면에 소정 두께의 도전성 물질이 코팅되어 있는 구조체인 것을 특징으로 하는 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법
3 3
삭제
4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
제 1 항에 있어서, 상기 구조체의 표면은, 평면 또는 곡면을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 방전가공을 이용한 구조체 표면의 마이크로/나노 이중구조 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.