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나노 튜브를 구성하는 결정 그레인들이 정방정계 결정 시스템의 [001] 방향을 선호 방향으로 하여 배향된 결정 구조를 가지며, XRD 데이터의 (004)면 피크에 대한 락킹 커브(rocking curve)의 반가폭(Full Width at Half Maximum)이 11
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제1항에 있어서,상기 락킹 커브의 반가폭이 11
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제1항에 있어서, 상기 산화 티타늄 나노 튜브 재료는 XRD 데이터의 (004)면 및 (200)면 피크 강도의 상대적 비율인 I(004)/I(200) 값이 5 이상인 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료
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제1항에 있어서, 상기 산화 티타늄 나노 튜브 재료는 티타늄 기판 상에 양극 산화법에 의해 수직으로 성장된 아나타제 산화 티타늄의 나노 튜브 배열로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료
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제1항에 있어서, 상기 산화 티타늄 나노 튜브 재료의 전자 캐리어 확산 거리는 20 μm 내지 50 μm인 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료
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(a) 수분 함량이 1
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제6항에 있어서, 전해액 내의 수분 함량은 2
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8
제6항에 있어서, 상기 전해액을 준비하는 단계는, 상기 전해액에 잔류하는 수분을 제거하는 단계; 및 잔류 수분이 제거된 전해액에 1
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제8항에 있어서,상기 전해액에 잔류하는 수분은 기화법(evaporation)을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료의 제조 방법
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10
제6항에 있어서,상기 산화 티타늄 나노 튜브의 성장은 수분이 없는 불활성 가스 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 불활성 가스 분위기는 질소 가스 분위기인 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 티타늄 기판의 열처리는 300oC 내지 600oC의 온도 범위에서 10 분 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 산화 티타늄 나노 튜브 재료의 제조 방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료를 전극 물질로 포함하는 광전 변환 소자
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 산화 티타늄 나노 튜브 재료를 포함하는 응용 제품
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