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강유전체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하부 전극 상부에 원자층 증착법을 이용하여 비스무스 산화막을 형성한 후 강유전체막 및 상부 전극을 형성하여 누설 전류가 매우 낮고 결정화 속도 및 우수한 강유전체 히스테리시스 특성을 갖는 강유전체 소자를 제조하고, 이를 1T-1C형 강유전체 메모리 소자의 캐패시터 또는 비냉각형 적외선 센서 등에 적용한다.강유전체 소자, 버퍼층, 비스무스 산화막, 원자층 증착법, 강유전체막, 캐패시터, 비냉각 적외선 센서
Int. CL H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020020008664 (2002.02.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0069242 (2003.08.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상욱 대한민국 대전광역시서구
2 이원재 대한민국 대전광역시유성구
3 유인규 대한민국 대전광역시유성구
4 유병곤 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0048480-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0037199-09
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0159932-98
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상부에 형성된 하부 전극과,

상기 하부 전극을 포함한 기판 상부에 형성된 비스무스 산화막과,

상기 비스무스 산화막 상부에 형성된 강유전체막과,

상기 강유전체막을 포함한 기판 상부에 형성된 상부 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 비스무스 산화막은 Bi과 O의 조성비(Bi/O)가 0

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 강유전체막은 (Bi4-xLax)Ti3012막인 것을 특징으로 하는 강유전체 소자

4 4

실리콘 기판 상부에 하부 전극을 형성하는 단계와,

상기 하부 전극을 포함한 기판 상부에 비스무스 산화막을 형성하는 단계와,

상기 비스무스 산화막 상부에 강유전체막을 형성하는 단계와,

상기 강유전체막 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 소자 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 비스무스 산화막은 원자층 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 소자 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막은 Bi, La, Ti, 및 O를 포함하는 물질을 이용하여 졸겔 방식으로 증착하는 (Bi4-xLax)Ti3012막인 것을 특징으로 하는 강유전체 소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.