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유기 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015083785
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고집적 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 소자는 절연성 기판, 기판상에 형성된 하부 전극, 하부 전극상에 형성된 전자 채널층 및 전자 채널층 상에 형성된 상부 전극의 구조를 가지며, 상기 전기적으로 이안정성을 가지는 전자 채널층으로써 전자주게-전자받게 고분자의 벌크 이종접합(bulk heterojunction)을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 간단한 제작 공정을 활용하여 고집적화가 가능한 유기물 소자를 구현할 수 있다. 유기 메모리 소자, 벌크 이종접합, 전자 채널층
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070126862 (2007.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0059811 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전 유성구
2 배성수 대한민국 서울 성동구
3 명혜진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882374-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062359-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0392742-57
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0504402-99
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 전자주게-전자받게 유기물의 혼합물로 형성된 전자 채널층; 및 상기 전자 채널층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 유기 메모리 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전자 채널층을 구성하는 유기물은 하기 화학식 1의 P3HT와 하기 화학식 2의 PCBM의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자: 화학식 1 화학식 2 상기 식에서 n은 10 내지 10,000 의 정수임
3 3
제 2항에 있어서, 상기 전자 채널층을 구성하는 P3HT와 PCBM의 혼합물의 조성은 농도비로 10:1 내지 1:10의 범위인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 전자 채널층은 5 내지 200nm 범위의 두께인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
5 5
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 전자주게-전자받게 유기물의 혼합물로 전자 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 채널층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 메모리 소자의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 전자 채널층을 구성하는 유기물은 하기 화학식 1의 P3HT와 하기 화학식 2의 PCBM의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자의 제조방법: 화학식 1 화학식 2 상기 식에서, n은 10 내지 10,000 의 정수임
7 7
제 5항에 있어서, 상기 전자 채널층은 전자주게-전자받게 유기물을 사용하여 스핀코팅 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 전자주게 유기물과 전자받게 유기물은 각각 디클로로벤젠 또는 트리클로로벤젠 중에 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090146136 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009146136 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.