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유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의하여제조된 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015131233
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계; 노즐을 구비한 도가니 내부에 테트라센 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 테트라센 화합물을 증기화하는 단계; 상기 테트라센 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계; 상기 유전체층의 상부에 상기 테트라센 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 온도에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다. 유기박막 트랜지스터, 테트라센, 클러스터 빔 증착
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0002(2013.01) H01L 51/0002(2013.01) H01L 51/0002(2013.01) H01L 51/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070017132 (2007.02.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0886723-0000 (2009.02.25)
공개번호/일자 10-2008-0077504 (2008.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20090304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 서훈석 대한민국 충청남도 논산시
3 장영세 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0150865-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0074455-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0681504-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0119042-43
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0119048-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0283801-95
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0472625-97
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0472639-25
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0592409-69
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.01.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0002959-15
14 등록결정서
Decision to grant
2009.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0077674-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평평한 유전체층의 표면에 계면활성제로서 헥사메틸디실라잔(HMDS) 또는 옥타데실트리클로로실란(OTS)인를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계;노즐을 구비한 도가니 내부에 테트라센 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 테트라센 화합물을 증기화하는 단계;상기 테트라센 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계;상기 유전체층의 상부에 상기 테트라센 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 온도에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 재질이 흑연인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 노즐 직경은 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 도가니의 온도가 220 내지 250℃인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유기막의 두께는 400 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 테트라센의 증착 속도는 5
7 7
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8 8
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9 9
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