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유기 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131244
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액공정(solution process)을 사용하여 저온(250℃ 이하) 및 대기중(in air)에서 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)를 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 상기 게이트전극을 덮도록 SOG(Spin On Glass)으로 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연층 상에 접착층, 도전층 및 전위장벽조절층이 순차적으로 적층된 적층막으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연층 전면에 상기 소스전극 및 드레인전극을 덮도록 팁스-펜타센(TIPS-pentacene)으로 활성층을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 용액공정을 상용하여 유기 박막 트랜지스터를 형성함으로써, 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 과정에서 전기적인 특성이 열화되는 것을 방지함과 동시에 제조 수율(yield)을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 펜타센, SOG, 용액공정
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01)
출원번호/일자 1020080017366 (2008.02.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0976572-0000 (2010.08.11)
공개번호/일자 10-2009-0092079 (2009.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20100817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 권재홍 대한민국 서울 성북구
3 신상일 대한민국 서울 동대문구
4 정진욱 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0141104-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0018501-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0137371-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0137370-84
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0144630-61
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0307653-98
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0307651-07
10 등록결정서
Decision to grant
2010.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0332273-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 상기 게이트전극을 덮도록 SOG(Spin On Glass)으로 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연층 상에 접착층, 도전층 및 전위장벽조절층이 순차적으로 적층된 적층막으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연층 전면에 상기 소스전극 및 드레인전극을 덮도록 팁스-펜타센(TIPS-pentacene)으로 활성층을 형성하는 단계 를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 활성층, 상기 게이트절연층, 상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 용액공정을 이용하여 형성하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 용액공정은 1℃ ~ 250℃ 범위 온도 및 대기중(in air)에서 실시하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 용액공정은 스핀코팅법(spin coating), 슬릿코팅법(slit coating), 드럽캐스팅법(drop casting), 딥케스팅법(dip casting), 잉크젯법(ink jet), 프린팅법(printing) 및 임프린트법(imprint)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하여 실시하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 소스전극 및 드레인전극을 형성하기 이전에 상기 게이트절연층을 열처리하는 단계; 및 상기 활성층을 열처리하는 단계 를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 활성층을 열처리하는 단계는, 90℃ ~ 130℃ 범위의 온도에서 실시하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 게이트절연층을 열처리하는 단계는, 80℃ ~ 230℃ 범위의 온도에서 실시하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.