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기판, 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스/드레인 전극 및 유기 반도체층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기 반도체층이 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 피리딜-안트라센 유도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 식에서,
X는 또는 이고;
R은 하이드록시, 알킬, 사이클로알킬, 알콕시, 사이클로알콕시 또는 티오알콕시이고;
n은 0, 1 또는 2이다
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제1항에 있어서,
상기 R이 하이드록시, C5-20 사이클로알킬, C1-18 알킬, C1-18 알콕시 또는 C1-18 티오알콕시인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 게이트 절연층이 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스타이렌 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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4
제1항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극이 Al, Ag, Mo, Au, Pt, Pd, Ni, Nd, Ir, Cr, Ti, MoW, 이들의 합금, ITO, IZO, ZnO, In2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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5
기판, 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스/드레인 전극 및 유기 반도체층을 순차적으로 형성하거나, 또는 기판, 게이트 전극, 게이트 절연층, 유기 반도체층 및 소스/드레인 전극을 순차적으로 형성하여 유기 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 제1항의 피리딜-안트라센 유도체를 화학기상증착법 또는 용액 공정에 적용하여 상기 유기 반도체층의 형성을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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6
제5항에 있어서,
상기 용액 공정이 스핀코팅법, 딥핑법, 드롭 캐스팅법 또는 잉크젯법인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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7
제1항의 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 디스플레이 장치
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