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유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015132298
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기절연막 조성물, 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 노볼락 수지, 가교제 및 용매를 포함하는 본 발명의 유기절연막 조성물은 절연성, 내열성, 평탄성 및 내화학성이 우수하고 유기박막 트랜지스터 제작시 열경화를 거쳐 게이트 절연막을 형성하여 유기박막 트랜지스터 구동시 히스테리시스를 감소시킴으로써 다양한 구조의 유기박막 트랜지스터의 특성을 현저히 개선시킬 수 있다. 게이트 절연막, 노볼락 수지, 유기박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01B 3/30 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020090072890 (2009.08.07)
출원인 주식회사 동진쎄미켐, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0015257 (2011.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.05)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 동진쎄미켐 대한민국 인천광역시 서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호진 대한민국 경기도 화성시
2 김병욱 대한민국 경기도 화성시
3 김위용 대한민국 경기도 화성시
4 홍문표 대한민국 경기도 화성시
5 김두현 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, ***호(역삼동, 대아빌딩)(예국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0484174-67
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0057430-40
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0540078-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0739502-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006280-04
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0312795-10
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0673538-68
11 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2015.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0723167-39
12 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee
2015.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0121452-87
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0773337-11
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0886213-75
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0979912-29
16 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0155968-64
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1105101-32
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-1105074-97
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0152697-69
20 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.03.30 수리 (Accepted) 7-1-2016-0015858-37
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 노볼락 수지; (B) 가교제; 및 (C) 용매 를 포함하는 유기절연막 조성물
2 2
제1항에 있어서, (A) 노볼락 수지 5 내지 30 중량%; (B) 가교제 5 내지 50 중량%; 및 (C) 잔량의 용매 를 포함하는 유기절연막 조성물
3 3
제1항에 있어서, 상기 노볼락 수지가 단계중합을 통해 제조된 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
4 4
제1항에 있어서, 상기 노볼락 수지가 3,000 내지 30,000 범위의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
5 5
제1항에 있어서, 상기 가교제가 멜라민계 가교제인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 용매가 알코올류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 에틸렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜알킬에테르류, 부틸렌글리콜모노알킬에테르류, 또는 디부틸렌글리콜디알킬에테르류인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
7 7
제1항에 있어서, 상기 조성물이 불소계 또는 실리콘계 계면활성제를 상기 노볼락 수지 100 중량부에 대해서 0
8 8
상기 조성물이 10 내지 50 중량%의 고형분 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항 기재의 유기절연막 조성물을 기재 상에 도포하고 소프트베이크(soft bake)한 후 열처리하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 소프트베이크(soft bake)가 80-120 ℃의 온도에서 1-15 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 열처리가 150-250 ℃의 온도에서 30-90 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
12 12
제9 내지 제11항 중 어느 한 항 기재의 게이트 절연막 형성방법에 의하여 형성된 게이트 절연막
13 13
제12항의 게이트 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터
14 14
제13항에 있어서, 상기 유기박막 트랜지스터가 상기 게이트 절연막에 더하여 유기 반도체층 및 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.