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다중게이트 소자를 제작하는 방법에 있어서,벌크 실리콘 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;채널 영역이 형성될 위치에 상응하여 상기 벌크 실리콘 기판의 표면이 노출될 수 있도록, 상기 절연막을 미리 지정된 패턴으로 패터닝하는 단계;상기 벌크 실리콘 기판 중 상기 표면이 노출된 위치에 채널 하부 영역을 형성하는 단계;상기 절연막에 불순물 이온을 주입시키는 단계;상기 채널 하부 영역의 상부에 실리콘을 성장시켜 상기 채널 영역을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 성장에 의해 형성된 상기 채널 영역이 핀(pin) 형태로 돌출될 수 있도록, 상기 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 채널 하부 영역을 형성하는 단계는,선택적 성장 기술을 이용하여, 상기 벌크 실리콘 기판 중 상기 표면이 노출된 위치에 실리콘을 성장시켜 상기 채널 하부 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 채널 영역을 형성하는 단계는,선택적 성장 기술을 이용하여, 상기 채널 하부 영역의 상부에 실리콘을 성장시켜 상기 채널 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 채널 하부 영역 또는 상기 채널 영역을 형성하는 실리콘은 에피택시(Epitaxy) 공정을 통해 성장되는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 절연막에 불순물 이온을 주입시키는 단계는,상기 채널 하부 영역이 형성된 이후 및 상기 채널 영역이 형성되기 전에, 불순물 이온이 상기 절연막에 주입될 수 있도록 이온 주입 공정을 수행하는 단계에 의하는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제5항에 있어서,상기 채널 영역의 하부는, 상기 채널 영역을 형성하기 위해 상기 실리콘을 성장시키는 과정에 발생된 열에 의해, 상기 절연막에 주입된 불순물 이온이 횡적 확산에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 채널 영역을 형성하는 단계는,상기 실리콘을 성장시키는 과정 도중, 상기 실리콘을 성장시키는 과정 이전, 상기 실리콘을 성장시키는 과정 이후 중 적어도 하나의 시기에 추가적인 열처리 공정을 수행하여, 상기 채널 영역의 하부를 상기 절연막에 주입된 불순물 이온의 횡적 환산에 의해 도핑시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중게이트 소자 제작 방법
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