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나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 얻어진 나노입자 구조체

  • 기술번호 : KST2015135139
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노입자의 집속 패터닝에 의한 나노입자 구조체의 제조방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 나노입자 구조체에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 스파크 방전에 의해 양극성(bipolar)으로 하전된 나노입자 및 이온을 동시에 발생시킨 후, 한 극성의 하전된 나노입자만을 선택하여 기판의 나노패턴으로 유도하고 나노패턴에 집속적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 2차원 또는 3차원 형상의 다양한 구조의 정밀한 나노입자 구조체를 효율적으로 제조할 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01) B82Y 5/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020090000248 (2009.01.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1412652-0000 (2014.06.20)
공개번호/일자 10-2009-0089787 (2009.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080014775   |   2008.02.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최만수 대한민국 서울특별시 송파구
2 이희철 대한민국 경상북도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 김선장 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(대치동) 삼성대세빌딩 *층(주식회사젠센)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0001857-93
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0004243-88
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0042406-10
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0060011-12
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013554-14
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.01.08 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0013564-60
7 보정요구서
Request for Amendment
2010.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0004676-57
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2010.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0015927-70
9 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0159438-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0666622-62
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0295444-10
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0443651-02
15 등록결정서
Decision to grant
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0376203-57
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 패턴층에 의해 형성된 나노패턴을 갖는 기판을 반응기 내부에 위치시킨 후 전기장을 형성하는 단계; 2) 나노입자 전구물질을 스파크 방전시켜 양극성(bipolar)으로 하전된 나노입자 및 이온을 형성하는 단계; 및3) 상기 양극성으로 하전된 나노입자 및 이온을 상기 반응기에 도입하여, 이들 중 한 극성의 하전된 나노입자만을 선택하여 상기 반응기 내에 위치된 기판의 나노패턴에 집속적으로 증착하는 단계를 포함하는, 나노입자 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)의 스파크 방전이 스파크 방전 챔버에 5 kV 내지 10 kV 범위의 전압을 인가하여 발생되는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 단계 3)에서 한 극성의 하전된 나노입자가 기판의 나노패턴에 증착되기에 앞서, 상기 한 극성의 하전된 나노입자와 동일한 극성을 갖는 이온이 패턴층의 표면에 축적되는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)가 팁과 플레이트 형상으로 제작된 나노입자 전구물질이 장착된 스파크 방전 챔버내에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 나노입자 전구물질이 전도성 물질, 부도체 물질로 코팅된 전도성 물질 또는 반도체 물질인 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 단계 1)에서, 반응기 내부에 -5 kV 내지 5 kV 범위의 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 단계 2)에서 발생된 하전된 나노입자 및 이온을 질소(N2), 헬륨(He2) 및 아르곤(Ar2) 중에서 선택된 운반 기체를 이용하여 상기 단계 3)의 반응기에 주입하는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 단계 3)에서 하전된 나노입자 및 이온을 반응기에 도입하기 전에, 불활성 기체이온을 이용하여 상기 패턴층의 표면위에 나노입자와 동일한 극으로 전하를 축적시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체의 제조방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 2차원 또는 3차원 형상의 나노입자 구조체
10 10
제 9 항에 있어서,상기 나노입자 구조체가 도트, 라인, 기둥, 반구, 벽, 꽃, 네잎클로버 또는 버섯 형상인 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체
11 11
제 9 항에 있어서,상기 나노입자 구조체가 어레이의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체
12 12
제 9 항에 있어서,상기 나노입자 구조체가 단일 나노입자 또는 2종 이상의 복합 나노입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 나노입자 구조체
13 13
삭제
14 14
제 9 항에 있어서,상기 나노입자 구조체가 1: 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.