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기판; 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 연결되는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터를 포함하며, 상기 탄소나노튜브는 수은 이온과 산화환원 반응을 하는 것을 특징으로 하는 수은 이온 검지 센서
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인수은 이온 검지 센서
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제1항에 있어서,상기 센서는 탄소나노튜브와 수은 이온의 산화환원 반응에 의한 탄소나노튜브의 전도도(conductance) 변화를 측정함으로써 수은 이온을 검지하는수은 이온 검지 센서
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제1항에 있어서,상기 센서는 수은 이온에 대하여 10 nM 내지 1 mM의 검지 범위를 나타내는수은 이온 검지 센서
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 다른 금속 이온과 비교하여, 선택적으로 및 자발적으로 수은 이온과 산화환원 반응을 하는 것을 특징으로 하는수은 이온 검지 센서
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기판; 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 연결되는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 탄소나노튜브는 수은 이온과 산화환원 반응을 하는 것을 특징으로 하는 수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 수은 이온 검지 센서는 탄소나노튜브와 수은 이온의 산화환원 반응에 의한 탄소나노튜브의 전도도(conductance) 변화를 측정함으로써 수은 이온을 검지하는수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브 트랜지스터를 제공하는 단계는기판 표면 상에 탄소나노튜브에 대한 접촉에너지가 기판 표면보다 높은 분자로 이루어진 자기조립단층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 기판을 탄소나노튜브 함유 용액에 침지시키거나 또는 탄소나노튜브 함유 기체에 노출시키는 단계;상기 자기조립단층이 형성되지 않은 노출된 기판 표면에 상기 탄소나노튜브를 선택적으로 흡착시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브를 사이에 두고 서로 이격되어 배치되며, 각각 상기 탄소나노튜브와 전기적으로 접촉하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 자기조립단층을 이루는 탄소나노튜브에 대한 접촉에너지가 기판 표면보다 높은 분자는 옥타데실트리클로로실란(OTS), 옥타데실트리메톡시실란(OTMS), 옥타데실트리에톡시실란(OTE) 및 옥타데칸싸이올(ODT)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 자기조립단층 패터닝은 마이크로컨택 프린팅(microcontact printing), 포토리소그래피(photolithography), 딥-펜 나노리소그래피(dip-pen nanolithography), 전자빔 리소그래피(e-beam lithography), 이온-빔 리소그래피(ion-beam lithography), 나노 그래프팅(nano grafting), 나노 쉐이빙(nano shaving) 또는 STM 리소그래피(STM lithography)에 의하여 이루어지는수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 형성 단계는 포토리소그래피, 물리기상증착법(physical vapor deposition(PVD)), 전자빔 증발법(e-beam evaporation) 또는 열 증발법(thermal evaporation)에 의하여 이루어지는수은 이온 검지 센서의 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 수은 이온 검지 센서의 탄소나노튜브에 수은 이온을 노출시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브와 수은 이온 간의 산화환원 반응에 의하여 발생하는 탄소나노튜브의 전도도(conductance) 변화를 측정하는 단계를 포함하는수은 이온의 검지 방법
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제13항에 있어서,상기 수은 이온을 노출시키는 단계는 상기 수은 이온 검지 센서의 탄소나노튜브에 수은 이온 함유 용액을 접촉시킴으로써 이루어지는수은 이온의 검지 방법
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제13항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 다른 금속 이온과 비교하여, 선택적으로 및 자발적으로 수은 이온과 산화환원 반응을 하는 것을 특징으로 하는수은 이온의 검지 방법
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