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동일한 물질로 형성된 코어부; 및 상기 코어부의 표면 중 적어도 일부를 감싸는 껍질부;를 포함하고,상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고,상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 나노 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어부는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택된 하나를 포함하는 나노 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어부는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물 반도체 및 질화물 반도체 중 어느 하나의 물질이거나, Ⅳ족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소가 혼합된 물질인 나노 구조체
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삭제
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 무기 리간드는,Sn2S6, Sn2Se6, In2Se4, In2Te3, Ga2Se3, CuInSe2, Cu7S4, Hg3Se4, Sb2Te3 또는 ZnTe의 하이드라진 수화물을 포함하는 금속 칼코게나이드 화합물인 나노 구조체
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제 1항에 있어서,상기 유기 리간드는, TOP(trioctylphosphine), TOPO(trioctylphosphine oxide), 올레산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 트리옥틸아민(trioctyl amine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥탄티올(octanethiol), 도데칸티올(dodecanethiol), 헥실포스폰산(HPA), 테트라데실포스폰산(TDPA) 및 옥틸포스핀산(OPA) 중 적어도 하나를 포함하는 나노 구조체
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제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2 물질층 각각은 복수 개이고, 상기 제1 및 제2 물질층이 교번적으로 배치된 나노 구조체
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제 1항에 있어서,상기 껍질부는,상기 제2 물질층과 접하며, 상기 제2 물질층과 다른 종류의 제3 물질층;을 더 포함하는 나노 구조체
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제 9항에 있어서,상기 제2 물질층의 전도 대역은 상기 제1 물질층의 전도 대역보다 작고 제3 물질층의 전도 대역보다 큰 나노 구조체
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이격되어 배치된 제1 및 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나와 연결되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고,상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하고,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 광학 소자
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제 11항에 있어서,상기 제1 물질층은 상기 제1 전극과 연결되고, 상기 제2 물질층은 상기 제2 전극과 연결된 광학 소자
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이격되어 배치된 제1 및 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나와 연결되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 열전 소자
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14
제 13항에 있어서,상기 제1 및 제2 물질층 각각은 복수 개이고, 상기 제1 및 제2 물질층이 교번적으로 배치된 열전 소자
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제 13항에 있어서,상기 복수 개의 제1 물질층 중 상기 나노 구조체의 일측부에 배치된 제1 물질층은 상기 제1 전극과 연결되고,상기 복수 개의 제2 물질층 중 상기 나노 구조체의 타측부에 배치된 제2 물질층은 상기 제2 전극과 연결된 열전 소자
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상호 이격되게 배치된 제1 내지 제3 전극; 및상기 제1 내지 제3 전극 모두에 접하고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 다른 종류의 물질로 형성된 3 개의 제1 물질층과 2개의 제2 물질층을 포함하고, 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층은 접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 반도체 회로
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제 16항에 있어서,상기 3개의 제1 물질층은 상기 제1 내지 제3 전극에 하나씩 접하는 반도체 회로
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