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나노 구조체 및 이를 포함한 소자

  • 기술번호 : KST2015137621
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조체 및 이를 포함한 소자를 제공한다. 본 나노 구조체는 동일한 물질로 형성된 코어부 및 코어부의 표면 중 적어도 일부를 감싸는 껍질부를 포함하고, 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110114124 (2011.11.03)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2005447-0000 (2019.07.24)
공개번호/일자 10-2013-0049078 (2013.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20190731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조경상 대한민국 경기도 과천시
2 국양 대한민국 서울특별시 서초구
3 차승남 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0867769-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0556134-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-1075994-62
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0010103-62
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0330678-02
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0701318-36
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0701319-82
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0734764-95
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1324830-37
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0105330-06
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0105331-41
17 등록결정서
Decision to grant
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0304862-87
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동일한 물질로 형성된 코어부; 및 상기 코어부의 표면 중 적어도 일부를 감싸는 껍질부;를 포함하고,상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고,상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 나노 구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 코어부는 나노와이어, 나노막대 및 나노튜브 중에서 선택된 하나를 포함하는 나노 구조체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 코어부는 Ⅳ족 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, 산화물 반도체 및 질화물 반도체 중 어느 하나의 물질이거나, Ⅳ족과 Ⅴ족 원소 중 적어도 하나와 Ⅵ족 원소가 혼합된 물질인 나노 구조체
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 무기 리간드는,Sn2S6, Sn2Se6, In2Se4, In2Te3, Ga2Se3, CuInSe2, Cu7S4, Hg3Se4, Sb2Te3 또는 ZnTe의 하이드라진 수화물을 포함하는 금속 칼코게나이드 화합물인 나노 구조체
7 7
제 1항에 있어서,상기 유기 리간드는, TOP(trioctylphosphine), TOPO(trioctylphosphine oxide), 올레산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 트리옥틸아민(trioctyl amine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥탄티올(octanethiol), 도데칸티올(dodecanethiol), 헥실포스폰산(HPA), 테트라데실포스폰산(TDPA) 및 옥틸포스핀산(OPA) 중 적어도 하나를 포함하는 나노 구조체
8 8
제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2 물질층 각각은 복수 개이고, 상기 제1 및 제2 물질층이 교번적으로 배치된 나노 구조체
9 9
제 1항에 있어서,상기 껍질부는,상기 제2 물질층과 접하며, 상기 제2 물질층과 다른 종류의 제3 물질층;을 더 포함하는 나노 구조체
10 10
제 9항에 있어서,상기 제2 물질층의 전도 대역은 상기 제1 물질층의 전도 대역보다 작고 제3 물질층의 전도 대역보다 큰 나노 구조체
11 11
이격되어 배치된 제1 및 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나와 연결되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고,상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하고,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 광학 소자
12 12
제 11항에 있어서,상기 제1 물질층은 상기 제1 전극과 연결되고, 상기 제2 물질층은 상기 제2 전극과 연결된 광학 소자
13 13
이격되어 배치된 제1 및 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나와 연결되고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 접하게 배치되며 서로 다른 종류의 물질로 형성된 제1 및 제2 물질층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 열전 소자
14 14
제 13항에 있어서,상기 제1 및 제2 물질층 각각은 복수 개이고, 상기 제1 및 제2 물질층이 교번적으로 배치된 열전 소자
15 15
제 13항에 있어서,상기 복수 개의 제1 물질층 중 상기 나노 구조체의 일측부에 배치된 제1 물질층은 상기 제1 전극과 연결되고,상기 복수 개의 제2 물질층 중 상기 나노 구조체의 타측부에 배치된 제2 물질층은 상기 제2 전극과 연결된 열전 소자
16 16
상호 이격되게 배치된 제1 내지 제3 전극; 및상기 제1 내지 제3 전극 모두에 접하고, 코어부와 상기 코어부를 둘러싸는 껍질부를 포함하는 나노 구조체;를 포함하며, 상기 껍질부는 서로 다른 종류의 물질로 형성된 3 개의 제1 물질층과 2개의 제2 물질층을 포함하고, 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층은 접하게 배치되고, 상기 제1 및 제2 물질층의 내부 표면 각각은 상기 코어부의 표면과 접하고, 상기 제1 물질층의 측면은 상기 제2 물질층의 측면과 접하며,상기 제1 및 제2 물질층은 다이폴 형성이 가능하도록 무기 리간드 또는 유기 리간드인 반도체 회로
17 17
제 16항에 있어서,상기 3개의 제1 물질층은 상기 제1 내지 제3 전극에 하나씩 접하는 반도체 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.