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인광성 유기 발광 소자 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140621
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 소자 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 격자 형태를 가지는 전극을 사용하여 고효율의 인광 특성을 가지는 유기 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 증착되는 양극전극과, 상기 양극전극 상에 증착되는 유기물층-여기서, 상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함함-과, 그리고 상기 유기물층 상에 증착되는 음극전극을 포함하되, 상기 양극전극은 제1 격자 형태의 패턴(pattern)를 가지도록 패터닝된 인광성 유기 발광 소자가 제공될 수 있다. 격자 형태의 양극전극 또는 격자 형태의 양극전극 및 음극전극에서 국소적으로 삼중항 엑시톤이 형성되도록 하고, 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸 확률을 낮추어서 발광효율을 향상시킬 수 있다.유기 발광 소자, 인광성, 엑시톤, 삼중항, 격자
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01) H01L 51/0014(2013.01)
출원번호/일자 1020050054021 (2005.06.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0690886-0000 (2007.02.27)
공개번호/일자 10-2006-0134385 (2006.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.22)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울시 마포구
2 추동철 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0331749-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0055341-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0502674-39
5 의견서
Written Opinion		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0792978-35
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0792988-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0112471-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 증착되는 투명한 양극전극;상기 양극전극 상에 증착되고, 인광성 발광층을 포함하는 유기물층; 및상기 유기물층 상에 증착되는 음극전극을 포함하되,상기 양극전극은 제1 격자 형태의 패턴(pattern)을 가지도록 패터닝된 인광성 유기 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 격자의 크기는 1 내지 10 ㎛인 인광성 유기 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 양극전극 두께는 1000 내지 1500 Å 인 인광성 유기 발광 소자
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 음극전극은 제2 격자 형태의 패턴을 가지는 인광성 유기 발광 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 격자 형태와 상기 제2 격자 형태는 동일하고, 상기 음극전극은 상기 제1 격자 형태와 상기 제2 격자 형태가 일치하도록 패터닝되는 인광성 유기 발광 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 유기물층은, 상기 양극전극 상에 평판 형태로 증착되는 정공전달층;상기 정공전달층 상에 증착되는 인광성 발광층; 및상기 인광성 발광층 상에 증착되는 전자전달층을 포함하는 인광성 유기 발광 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 인광성 발광층과 상기 전자전달층 사이에 증착되는 정공차단층을 더 포함하는 인광성 유기 발광 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 정공차단층은 페난트놀린계(phenanthrolines) 화합물인 BCP(N,N'-비스-(1-나프틸)-디페닐-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민과 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트놀린; N,N'-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline)로 형성되는 인광성 유기 발광 소자
11 11
제8항에 있어서, 상기 정공전달층은 TPD(N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘(N,N'‐bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine))로 형성되는 인광성 유기 발광 소자
12 12
제8항에 있어서, 상기 인광성 발광층은 CBP(4-4'-비스카르바졸-비페닐(4,4'-biscarbazolbiphenyl))를 호스트 물질로 하고 PtOEP(백금-옥타에틸포르피린착체(Platinum(II) 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethylporphyrin))를 인광 도판트로 하는 인광성 유기 발광 소자
13 13
제8항에 있어서, 상기 전자전달층은 Alq3(알루미늄퀴놀리놀착체)로 형성되는 인광성 유기 발광 소자
14 14
인광성 유기 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서,(a) 기판 상에 투명한 양극전극을 증착시키는 단계;(b) 상기 양극전극을 제1 격자 형태로 패터닝하는 단계-여기서, 상기 격자의 크기는 1 내지 10 ㎛임-;(c) 상기 제1 격자 형태의 양극전극 상에 유기물층을 증착시키는 단계-여기서, 상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함함-; 및(d) 상기 유기물층 상에 음극전극을 증착시키는 단계를 포함하는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제14항에 있어서, 상기 (b) 단계는,(b1) 상기 양극전극 상에 감광제를 도포하는 단계;(b2) 상기 제1 격자 형태가 패터닝된 마스크(mask)를 통해 자외선을 비춰 상기 감광제 상에 전사(轉寫)하는 단계;(b3) 상기 (b2) 단계를 통해 상대적으로 결합이 약해진 감광제를 녹여내는 단계;(b4) 상기 감광제에 형성된 상기 제1 격자 형태의 패턴(pattern)에 따라 상기 양극전극을 식각하는 단계;(b5) 정공전달물질을 증착시키는 단계; 및(b6) 상기 감광제를 제거하는 단계를 포함하는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 (b5) 단계는, 상기 정공전달물질을 상기 양극전극 두께로 증착시키는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 양극전극 두께는 1000 내지 1500 Å 인 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
21 21
제14항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에,상기 음극전극을 제2 격자 형태로 패터닝하는 단계를 더 포함하는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 제1 격자 형태와 상기 제2 격자 형태는 동일하고, 상기 음극전극은 상기 제1 격자 형태와 상기 제2 격자 형태가 일치하도록 패터닝되는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
23 23
제14항에 있어서, 상기 (c) 단계는, (c1) 상기 제1 격자 형태의 양극전극 상에 정공전달층을 증착시키는 단계;(c2) 상기 정공전달층 상에 인광성 발광층을 증착시키는 단계; 및(c3) 상기 인광성 발광층 상에 전자전달층을 증착시키는 단계를 포함하는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 (c2) 단계와 (c3) 단계 사이에, 상기 인광성 발광층 상에 정공차단층을 증착시키는 단계를 더 포함하고, 상기 (c3) 단계는 상기 전자전달층은 상기 정공차단층 상에 증착되는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 정공차단층은 페난트놀린계(phenanthrolines) 화합물인 BCP(N,N'-비스-(1-나프틸)-디페닐-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민과 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트놀린; N,N'-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline)로 형성되는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
26 26
제23항에 있어서, 상기 정공전달물질은 상기 정공전달층을 형성하는 물질과 동일한 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
27 27
제23항에 있어서, 상기 정공전달층은 TPD(N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine))로 형성되는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
28 28
제23항에 있어서, 상기 인광성 발광층은 CBP(4-4'-비스카르바졸-비페닐(4,4'-biscarbazolbiphenyl))를 호스트 물질로 하고 PtOEP(백금-옥타에틸포르피린착체(Platinum(II) 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethylporphyrin))를 인광 도판트로 하는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
29 29
제23항에 있어서, 상기 전자전달층은 Alq3(알루미늄퀴놀리놀착체)로 형성되는 인광성 유기 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.