맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

도펀트 활성화 방법

  • 기술번호 : KST2015140741
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도펀트 활성화 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노 두께의 금속층이 증착된 박막에 도펀트를 주입하고, 펄스 형식의 주기적 급속 열적 어닐링(Pulsed Rapid Thermal Annealing, PRTA) 시스템을 도입함으로써, 저온에서 단시간 열처리가 가능하여 보다 효과적인 도펀트 활성화 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 산화막이 형성된 기판 상에 박막을 증착하는 단계와; 상기 단계에서 증착된 박막 위에 나노 두께의 금속층(11)을 물리적 또는 화학적 방법에 의해 증착하는 단계와; 상기 단계에서 증착된 금속층(11) 위에 이온 주입(IMD) 공정을 통해 도펀트를 주입후 100~500℃ 온도에서 열처리하되, 상기 열처리 과정 중에 10~200초 주기로 300~800℃ 온도에서 1~30초 동안 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 도펀트 활성화 방법을 제공한다.주기적 급속 열적 어닐링, 비정질 실리콘, 이온 주입, 도펀트 활성화
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020060045565 (2006.05.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0766038-0000 (2007.10.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.22)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 성동구
2 정두성 대한민국 서울 성동구
3 김태형 대한민국 서울 성동구
4 김영웅 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0353503-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000320-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0261980-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0515844-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0515843-41
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0405942-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
산화막이 형성된 기판 상에 박막을 증착하는 단계와, 상기 단계에서 증착된 박막 위에 나노 두께의 금속층(11)을 물리적 또는 화학적 방법에 의해 증착하는 단계와, 상기 단계에서 증착된 금속층(11) 위에 이온 주입(IMD) 공정을 통해 도펀트를 주입후 100~500℃ 온도에서 열처리하되, 상기 열처리 과정 중에 10~200초 주기로 300~800℃ 온도에서 1~30초 동안 급속 열처리하는 단계를 포함하는 도펀트 활성화 방법에 있어서,상기 박막위에 나노두께의 금속층을 증착한 후 이온주입을 하는 단계는 상기 방법의 역순으로, 증착된 박막위에 이온주입을 한 후 나노두께의 금속층을 증착하여 상기의 열처리방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도펀트를 활성화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.