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유기 발광 표시 장치

  • 기술번호 : KST2015140855
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 유기 발광 표시 장치는, 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 위에 형성되어 있는 발광층, 상기 발광층 위에 형성되어 있는 제1 전자 수송층, 상기 전자 수송층 위에 형성되어 있는 제2 전자 수송층, 그리고 상기 제2 전자 수송층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전자 수송층은 금속 이온을 포함하는 유기 금속 착화합물, 전자 수송성 유기 화합물 및 금속을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명을 통하여 발광 효율을 높일 수 있고, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 구동 전압을 낮추는 동시에 수명을 증가시킬 수 있다.유기 발광 표시 장치, 발광 효율, 혼합 전자 수송층
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01)
출원번호/일자 1020070049195 (2007.05.21)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0102576 (2008.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 추동철 대한민국 서울특별시 중랑구
3 차한뫼 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0370834-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0404599-97
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742718-73
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-2013-0030996-81
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0534145-24
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0870077-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0870072-35
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0037028-56
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0230168-10
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0230165-84
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0462942-19
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0803220-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 정공 수송층,상기 정공 수송층 위에 형성되어 있는 발광층,상기 발광층 위에 형성되어 있는 제1 전자 수송층, 상기 전자 수송층 위에 형성되어 있는 제2 전자 수송층, 그리고상기 제2 전자 수송층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전자 수송층은 금속 이온을 포함하는 유기 금속 착화합물, 전자 수송성 유기 화합물 및 금속을 포함하는 유기 발광 표시 장치
2 2
제1항에서,상기 금속 이온은 알칼리 금속 이온, 알칼리 토금속 이온 및 희토류 금속 이온으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 이온인 유기 발광 표시 장치
3 3
제1항에서,상기 전자 수송성 유기 화합물은 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴놀린)(aluminium tris(8-hydroxyquinoline), Alq3), 1,3,5-트리스(N-페닐벤지미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tirs(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene, TPBi) 및 4,7-디페닐-1,10 페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, BPhen) 중에서 선택된 적어도 하나의 유기 화합물인 유기 발광 표시 장치
4 4
제1항에서,상기 금속은 2A족 원소, 3A족 원소, 4A족 원소, 3B족 원소 및 4B족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속인 유기 발광 표시 장치
5 5
제4항에서,상기 금속은 상기 유기 금속 착화합물을 진공 중에서 상기 유기 금속 착화합물이 포함하고 있는 금속으로 환원시켜 전자 주입 효율을 향상시키는 유기 발광 표시 장치
6 6
제1항에서,상기 제2 전자 수송층은 8-하이드록시-퀴놀리네이토 리튬(8-hydroxy-quinolinato lithium, Liq), 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴놀린)(aluminium tris(8-hydroxyquinoline), Alq3) 및 알루미늄(Al)을 포함하고, 조성비는 부피비로 Liq:Alq3는 1:9 내지 9:1 이고, (Liq+Alq3):Al은 19:1 내지 4:1인 유기 발광 표시 장치
7 7
제1항에서,서로 교차하는 제1 및 제2 신호선,상기 제1 및 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 그리고상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.