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메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142624
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적 손실을 줄이면서도 보다 안정적이고 저전압에서도 동작이 가능하며 고 집적도를 구현할 수 있는 나노 플로팅 게이트형 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 소자 제조 방법은, 기판 위에 터널 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널 절연막 위에 제1 전이금속 실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 제1 전이금속 실리사이드막 위에 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 및, 열처리 공정을 수행하여 상기 제1 전이금속 실리사이드막을 나노 결정화하는 단계를 포함한다. MLC, 멀티비트, 실리사이드, 나노 결정
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020090005381 (2009.01.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0086163 (2010.07.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.22)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승백 대한민국 서울특별시 강남구
2 최성진 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 안성구 대한민국 경상남도 함안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0042372-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065598-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0572610-20
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0291497-22
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 터널 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널 절연막 위에 제1 전이금속 실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 제1 전이금속 실리사이드막 위에 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 및, 열처리 공정을 수행하여 상기 제1 전이금속 실리사이드막을 나노 결정화하는 단계 를 포함하는 메모리 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 전이금속 실리사이드막 위에 터널 장벽막, 제2 전이금속 실리사이드막, 컨트롤 절연막을 순차적으로 형성한 후, 열처리 공정을 수행하여 상기 제1 및 제2 전이금속 실리사이드막을 나노 결정화하는 메모리 소자 제조 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판 위에 터널 절연막을 형성하는 단계는, 상기 기판에 핀(Fin) 구조물을 형성한 후, 상기 핀 구조물에 터널 절연막을 형성하는 메모리 소자 제조 방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 터널 절연막은 SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3, HfO2, ZrO2 또는 이들의 다층막으로 이루어지며, 건식 산화법, 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 원자층 적층법 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 메모리 소자 제조 방법
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 제1 및 제2 전이금속 실리사이드막은, 전이금속 실리사이드를 타겟 물질로 한 스퍼터링법으로 형성되는 메모리 소자 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 타겟 물질은, 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 함유하는 메모리 소자 제조 방법
7 7
청구항 2에 있어서, 상기 터널 장벽막은 스퍼터링법 또는 화학 기상 증착법으로 형성되며, SiON, Si3N4, Al2O3, HfO2, ZrO2 또는 이들의 다층막으로 이루어진 메모리 소자 제조 방법
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 콘트롤 절연막은 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 또는 원자층 증착법으로 형성되며, SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3, HfO2, ZrO2 또는 이들의 다층막으로 이루어진 메모리 소자 제조 방법
9 9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 열처리 공정은 질소 가스 또는 아르곤 가스 분위기에서 400 내지 1000℃의 온도로 30 내지 120초 동안 급속 열처리 방법(RTA; Rapid Thermal Annealing)으로 수행하는 메모리 소자 제조 방법
10 10
소스 영역, 드레인 영역, 및 채널 영역이 형성된 기판; 상기 채널 영역 위에 형성된 터널 절연층, 나노 크리스탈층, 컨트롤 절연층, 게이트 전극을 구비하고, 상기 나노 크리스탈층은 전이금속 실리사이드 나노 결정을 포함하는 메모리 소자
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 터널 절연층과 컨트롤 절연층 사이에 터널 장벽층을 더 구비하고, 상기 나노 크리스탈층은 상기 터널 장벽층에 형성된 메모리 소자
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 나노 크리스탈층은 상기 터널 장벽층에 복수층으로 형성된 메모리 소자
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 복수층으로 형성된 나노 크리스탈층은 서로 다른 물질로 형성된 메모리 소자
14 14
청구항 11에 있어서, 상기 터널 장벽층은 상기 터널 절연층 및 컨트롤 절연층과 다른 물질로 형성된 메모리 소자
15 15
청구항 11에 있어서, 상기 터널 장벽층은 상기 터널 절연층 및 컨트롤 절연층보다 유전률이 큰 물질로 형성된 메모리 소자
16 16
청구항 11에 있어서, 상기 터널 장벽층은 질화막이고, 상기 터널 절연층과 컨트롤 절연층은 산화막인 메모리 소자
17 17
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서, 상기 전이금속 실리사이드 나노 결정은 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 함유하는 메모리 소자
18 18
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서, 상기 전이금속 실리사이드 나노 결정은 8 내지 12 nm의 크기로 형성되는 메모리 소자
19 19
청구항 10 내지 청구항 11에 있어서, 상기 기판은 터널 절연막이 형성된 핀 구조물을 구비한 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 지식경제부(산자부)(지식경제부) 기술개발사업(산업기술개발사업) 고신뢰성 금속 및 금속산화물 나노입자가 장착된 3차원 NFGM소자 개발(차세대메모리개발사업단)