맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 다층 박막 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015158760
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고경도 및 다기능을 가지는 나노 스케일(nano-scale)의 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 다층 박막 증착 방법에 관한 것이다. 본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착법 및 화학 기상 증착 장비를 이용하여 다층 박막을 제조하기 위한 시스템에 있어서, 플라즈마 화학 증착 방식 및 화학 기상 증착 방식으로 적어도 2개 이상의 성분으로 다층 박막 형성이 가능한 챔버와; 다층 박막 중 각각 어느 한 층을 구성하는 성분을 포함하는 반응 물질을 공급해 주는 적어도 2개의 소스 공급부와; 상기 각 소스 공급부에 그 중간이 연결되고, 각각의 일단은 상기 챔버에 연결되고, 각각의 타단은 유량 조절을 위한 우회관에 연결되는 적어도 2개의 경로와; 상기 우회관에 연결되는 진공 펌프와; 상기 각 소스 공급부 연결 부위를 중심으로 상기 각 경로의 양쪽에 설치되어 개폐되는 적어도 4개의 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스케일 다층 필름 제조를 위한 플라즈마 화학 기상 증착 장비 및 화학 기상 증착 장비의 자동 밸브 조절 시스템을 제공한다. 플라즈마 화학 증착, 화학 기상 증착, 다층 박막, 밸브
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C23C 16/455 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020020018785 (2002.04.06)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0479639-0000 (2005.03.21)
공개번호/일자 10-2003-0079610 (2003.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20050330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.06)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이정중 대한민국 서울시 양천구
2 임주완 대한민국 서울특별시관악구
3 이승훈 대한민국 서울특별시관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0103018-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0054837-46
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-5062919-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0238982-46
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0367835-99
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2004.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5130687-75
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0421950-98
9 의견서
Written Opinion		 2004.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0421951-33
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0545429-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학 기상 증착 방식으로 적어도 2종류의 다층 박막 형성이 가능한 챔버와; 상기 챔버에 연결되는 제 1진공펌프와; 다층 박막 중 각각 어느 한 층을 구성하는 성분을 포함하는 소스를 공급해 주는 적어도 2개의 소스 공급부와; 상기 각 소스 공급부에 그 중간이 연결되고, 각각의 일단은 상기 챔버에 연결되며, 각각의 타단은 일정한 유량의 유지를 위한 배출단으로 이용되는 적어도 2개의 경로와; 상기 각 경로의 타단이 연결되는 제 2진공펌프와; 상기 각 소스 공급부 연결 부위를 중심으로 상기 각 경로의 양쪽에 설치되어 개폐되는 적어도 4개의 밸브와; 상기 적어도 2개의 소스 공급부를 통하여 공급되는 소스 중에서 상기 챔버에 유입된 소스와 반응하여 기판에 증착되는 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부와; 상기 제 1진공펌프를 이용하여 상기 챔버 내의 압력을 미리 설정된 압력으로 유지한 후에, 상기 밸브 중 각 경로의 제 2진공펌프 쪽에 연결된 각 밸브를 개방하여 각 소스 공급부에서 공급되는 각 소스의 유량을 일정하게 유지하고, 상기 반응 가스 공급부의 반응 가스를 상기 챔버에 공급하면서, 선택된 어느 하나의 소스 공급부에 연결된 경로의 챔버 측에 연결된 밸브를 개방함과 동시에 제 2진공펌프 측에 연결된 밸브를 폐쇄함으로써 선택된 소스를 미리 설정된 시간 동안 상기 챔버에 공급하여 해당 소스와 상기 반응 가스의 반응에 의한 증착이 이루어지게 한 후에, 해당 경로의 챔버 쪽의 밸브를 폐쇄함과 동시에 제 2진공펌프 쪽의 밸브를 개방하여 소스 공급부의 배출 유량을 일정하게 유지하고, 상기 제 1진공펌프를 이용하여 챔버 내의 잔류 소스를 제거한 후에, 미리 설정된 순서에 따른 다른 하나의 소스 공급부에 연결된 경로의 밸브를 상기와 같이 제어하여 다른 하나의 소스와 상기 반응 가스의 반응에 의한 증착이 이루어지도록 하는 과정을 반복하여 나노 스케일의 다층 필름을 형성하는 제어부로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 챔버에 설치되어 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치
3 3
(a) 화학 기상 증착이 가능한 챔버에 연결된 제 1진공펌프를 이용하여 챔버 내의 가스를 배기하는 단계; (b) 다층 박막 중 각각 어느 한 층을 구성하는 성분을 포함하는 소스를 공급해 주는 적어도 2개의 소스 공급부로부터 배출되는 각 소스를 제 2진공펌프를 이용하여 배기하여 각 소스의 유량을 안정화하는 단계; (c) 상기 각 소스와 반응하는 반응 가스를 챔버에 공급하는 단계; (d) 상기 소스 공급부 중에서 선택된 어느 하나의 소스의 공급 방향을 제 2진공펌프에서 상기 챔버로 전환하여 챔버 내에서 상기 소스와 상기 반응 가스의 반응에 의한 증착이 이루어지는 단계; (e) 상기 (d) 단계에서 공급되던 상기 소스의 공급 방향을 상기 챔버에서 제 2진공펌프쪽으로 전환하는 단계; (f) 상기 제 1진공펌프를 이용하여 챔버 내의 잔류 가스를 제거하는 단계; (g) 상기 소스 공급부 중에서 선택된 다른 하나의 소스의 공급 방향을 제 2진공펌프에서 챔버쪽으로 전환하여 상기 다른 하나의 소스와 상기 반응 가스의 반응에 의한 증착이 이루어지는 단계; (h) 상기 (g) 단계에서 공급되던 상기 다른 하나의 소스의 공급 방향을 상기 챔버에서 제 2진공펌프쪽으로 전환하는 단계; (i) 상기 제 1진공펌프를 이용하여 챔버 내의 잔류 가스를 제거하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 다층 박막의 증착 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 반응 가스를 플라즈마화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 다층 박막의 증착 방법
5 5
제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 (d) 단계 내지 (i) 단계를 다수회 반복하여 기판에 적어도 2종류의 박막을 다층으로 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 다층 박막의 증착 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 적어도 2개의 소스 공급부에서 공급되는 소스는 각각 H2 및 Ar 가스에 의하여 기화되어 공급되는 TiCl4 및 AlCl3이고, 상기 반응 가스는 NH3이며, 상기 기판에 형성되는 각 박막은 TiN 및 AlN인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 이용한 다층 박막의 증착 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 챔버는 상기 각 경로의 일단에 각각 연결되어 상기 적어도 2개의 소스 공급부에서 공급되는 각 소스를 균일하게 분사시켜 주는 가스분사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치
8 7
제 1항에 있어서, 상기 챔버는 상기 각 경로의 일단에 각각 연결되어 상기 적어도 2개의 소스 공급부에서 공급되는 각 소스를 균일하게 분사시켜 주는 가스분사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2003087429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU2003235486 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003235486 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 DE10392487 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 WO03087429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO03087429 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.