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하부기판; 상기 하부기판 상에 적어도 2중층으로 형성되어 있는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판을 포함하되, 상기 캐소드 전극의 상부 표면층은 은(Ag), 납(Nb), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 탄탈륨(Ta), 비스무트(Bi), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 몰리브덴-텅스텐 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 절연되며, 상기 캐소드 전극 상부에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하는 면광원 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 납(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 텅스텐(W) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 2중층으로 이루어져 있으며, 하부 캐소드 전극층은 크롬을 포함하고 상부 캐소드 전극층은 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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제 4 항에 있어서, 하부 캐소드 전극층은 게이트 전극과 같은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 면광원 장치 상에 배치된 액정 표시패널을 더 포함하는 액정 표시 장치
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하부기판; 상기 하부기판 상에 적어도 하나의 층으로 형성되어 있는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상부에, 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부 표면에 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매 금속층;상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에서 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판을 포함하는 면광원 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 하부 캐소드 전극층 및 상부 캐소드 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 하부 캐소드 전극층은 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
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하부기판에 적어도 하나의 층으로 이루어진 캐소드 전극을 형성하는 단계;상기 캐소드 전극의 상부에 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부 표면 및 상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 캐소드 전극의 표면에 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매 금속층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에 에미터 팁용 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판 구비하는 단계를 포함하는 면광원 장치 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 절연되며, 상기 캐소드 전극 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 캐소드 전극 상에 절연 물질층을 형성하는 단계;상기 절연 물질층 상에 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 패턴을 마스크로 하여 상기 절연 물질층을 식각하여 캐소드 전극 표면을 노출시키는 단계를 포함하는 면광원 장치 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는, 크롬층을 형성하는 단계; 및상기 크롬층 상에 티타늄층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 크롬층인 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 암모니아(NH3) 가스 분위기에서 상기 촉매 금속을 전처리하는 단계를 더 포함하는 면광원 장치 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는 암모니아(NH3) 가스와 아세틸렌(C2H2) 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계에서 상기 암모니아(NH3) 가스와 아세틸렌(C2H2) 가스의 부피 비율(NH3 : C2H2)은 2 : 1 인 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는 400V 이상의 플라즈마 전계가 인가된 상태에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 면광원 장치 제조 방법은 상기 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계에서만 1회의 포토 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 면광원 장치 상에 액정 표시패널을 배치하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치 제조방법
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하부기판, 상기 하부기판에 크롬층 및 티타늄층을 포함하는 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극 상부에, 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 크롬으로 이루어진 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에서 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브, 상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판으로 이루어진 면광원 장치; 상기 면광원 장치 상부에 위치하는 액정 표시 패널; 및상기 면광원 장치와 액정 표시 패널 사이에 개재된 광학시트를 포함하는 액정 표시장치
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