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균일한 두께를 가지는 얇은 카드뮴 셀레나이드 나노 리본 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159331
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 균일한 두께를 가지는 얇은 카드뮴 셀레나이드(CdSe) 나노 리본 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 발광파장의 반가폭 (Full Width at Half Maximum)이 좁은 청색광을 발광하는 균일한 두께를 가진 CdSe 나노 리본과, 상기 CdSe 나노 리본을 포함하는 청색광 발광 반도체 소자 그리고, 상기 CdSe 나노 리본을 저온에서 제조하는 방법에 대한 것이다.나노 리본
Int. CL C01B 19/00 (2006.01) C01G 11/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 19/04 (2006.01)
CPC C01B 19/00(2013.01) C01B 19/00(2013.01) C01B 19/00(2013.01) C01B 19/00(2013.01) C01B 19/00(2013.01) C01B 19/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060030850 (2006.04.05)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1197898-0000 (2012.10.30)
공개번호/일자 10-2007-0099737 (2007.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20121105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
2 주진 대한민국 경기도 양주시 삼숭로**번길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서근복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ****호 동명국제특허법률사무소 (역삼동, 성지하이츠*)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0237658-12
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0242818-49
3 보정요구서
Request for Amendment
2006.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0059434-65
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0319527-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0398336-30
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089761-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0215413-83
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0429596-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0429621-34
12 등록결정서
Decision to grant
2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0441171-18
13 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0024566-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
16 [복대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2017.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0355419-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정면()를 따라 성장하고 결정면()과 ()에 둘러싸인 균일한 두께를 가진 카드뮴 셀레나이드 나노 리본
2 2
제1항의 카드뮴 셀레나이드 나노 리본에 있어서, 두께가 1 nm 내지 2 nm인 카드뮴 셀레나이드 나노 리본
3 3
제2항의 카드뮴 셀레나이드 나노 리본에 있어서, 상기 카드뮴 셀레나이드 나노 리본의 자외-가시선(UV-Vis) 흡광 스펙트럼이 400 nm 내지 600 nm의 범위에서 적어도 하나 이상의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 카드뮴 셀레나이드 나노 리본
4 4
제3항의 카드뮴 셀레나이드 나노 리본에 있어서, 상기 카드뮴 셀레나이드 나노 리본의 실온에서의 광자발광(photoluminescence) 스펙트럼이 400 nm에서 600 nm의 범위에서 적어도 하나 이상의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 카드뮴 셀레나이드 나노 리본
5 5
결정면 ()를 따라 성장하고 결정면 ()과 ()에 둘러싸인 균일한 두께를 가진 카드뮴 셀레나이드 나노 리본을 포함하는 발광 반도체 소자
6 6
(i) CdCl2를 C3-C10 알킬아민에 첨가한 후 가열 및 교반하여 Cd-알킬아민 착화합물을 형성하는 단계;(ii) Se를 C3-C10 알킬아민에 첨가한 후 교반하고 일산화탄소(CO)를 불어넣어 Se 전구체를 형성하는 단계; (iii) 상기 Cd-알킬아민 착화합물과 상기 Se 전구체를 혼합하여 가열하는 단계; 그리고(iv) 상기 혼합된 Cd-알킬아민 착화합물과 상기 Se 전구체를 함유하는 용액을 나노결정의 성장 유지 온도로 유지하여 나노 리본을 성장시키는 단계;를 포함하는 카드뮴 셀레나이드 반도체 나노 리본 제조 방법
7 7
제6항의 카드뮴 셀레나이드 반도체 나노 리본 합성 방법에 있어서, 단계 (iv)의 나노결정의 성장 유지 온도가 30 ℃ 내지 100 ℃ 인 것을 특징으로 하는 카드뮴 셀레나이드 반도체 나노 리본 합성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.