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나노 포어 어레이를 이용한 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159638
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 전도층 및 양극산화물질층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 양극산화물질층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 상기 양극산화물질층의 산화물을 제거하여, 상기 양극산화물질층의 산화물 하부와 상기 전도층 표면 사이에 형성된 상기 전도층의 산화물을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 전도층의 산화물을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 전도층을 노출시키는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 포어 하부의 전도층의 산화물만을 선택적으로 제거할 수 있어, 나노 포어 내부에 성장시킨 물질과 하부전극과의 전도성이 우수하게 유지되어, 소자로서 기능성을 향상시킬 수 있다. 나노 구조체, 나노 포어, 양극산화물질층, 전도층, 하부전극, 산화물, 식각용액
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0014(2013.01) B82B 3/0014(2013.01)
출원번호/일자 1020070054762 (2007.06.05)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0937167-0000 (2010.01.08)
공개번호/일자 10-2008-0107013 (2008.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20100115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 박상현 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0408875-14
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2007.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-5059271-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0020009-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0437435-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0732595-36
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0803923-63
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0878349-01
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0878346-64
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0171003-63
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0374065-97
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0372778-85
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0372780-77
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0043714-39
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2009.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0055208-74
17 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496030-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 질화티타늄층 및 알루미늄층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 산화알루미늄을 제거하여, 상기 산화알루미늄 하부와 상기 질화티타늄층 표면 사이에 형성된 산화티타늄을 노출시키는 단계; 및 상기 산화티타늄을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 질화티타늄층을 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 산화티타늄을 제거하는 단계는 산화알루미늄에 대하여 산화티타늄만을 선택적으로 식각하는 NH4OH : H2O2 : H2O의 비가 0
2 2
기판 상에 촉매층, 질화티타늄층 및 알루미늄층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 산화알루미늄을 제거하여, 상기 산화알루미늄 하부와 상기 질화티타늄층 표면 사이에 형성된 산화티타늄을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 산화티타늄을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 촉매층을 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 산화티타늄을 제거하는 단계는 산화알루미늄에 대하여 산화티타늄만을 선택적으로 식각하는 NH4OH : H2O2 : H2O의 비가 0
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 실리콘 카바이드, 석영, 플라스틱, 세라믹, 갈륨아세나이드 및 실리콘 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 포어 하부에 질화티타늄층을 노출시키는 단계 이후에, 상기 나노 포어 내부에 나노 튜브 또는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 더 포함하는 나노 구조체의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 성장은 전해 증착법, 원자층 증착법, 화학적 기상 증착법 및 펄스 레이저 증착법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 상에 질화티타늄층을 형성하기 전에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 산화막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 양극산화는 상기 알루미늄층이 다수의 나노 포어를 갖는 산화알루미늄으로 산화되며, 상기 나노 포어 하부의 상기 질화티타늄층의 일부가 산화되어 산화티타늄을 형성하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
9 9
제2항에 있어서, 상기 양극산화는 상기 알루미늄층이 다수의 나노 포어를 갖는 산화알루미늄으로 산화되고, 상기 나노 포어 하부의 상기 질화티타늄층이 산화되어 산화티타늄을 형성하며, 상기 촉매층은 산화되지 않도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화티타늄을 제거한 후, 상기 나노 포어 간의 벽을 이루는 상기 산화알루미늄을 식각하여, 상기 나노 포어의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 나노 구조체의 제조방법
11 11
제4항에 따른 방법에 의하여 제조된, 나노 포어 내부에 나노 와이어 또는 나노 튜브가 형성되어 이루어지는 나노 구조체
12 12
제2항에 있어서, 상기 나노 포어 하부에 촉매층을 노출시키는 단계 이후에, 상기 나노 포어 내부에 나노 튜브 또는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 더 포함하는 나노 구조체의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 성장은 전해 증착법, 원자층 증착법, 화학적 기상 증착법 및 펄스 레이저 증착법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조방법
14 14
제12항에 따른 방법에 의하여 제조된, 나노 포어 내부에 나노 와이어 또는 나노 튜브가 형성되어 이루어지는 나노 구조체
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.