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반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법

  • 기술번호 : KST2015160102
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 서로 다른 나노구조체들을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자는 나노와이어(nanowire)로 형성된 제1구성요소와 나노파티클(nanoparticle)로 형성된 제2구성요소를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 양극성(ambipolar)의 탄소나노튜브(carbon nanotube)일 수 있다. 상기 제1구성요소는 채널층일 수 있고, 제2구성요소는 전하트랩층일 수 있는데, 이 경우, 상기 반도체 소자는 트랜지스터나 메모리 소자일 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020080097406 (2008.10.02)
출원인 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1490109-0000 (2015.01.30)
공개번호/일자 10-2009-0039610 (2009.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20150212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070105102   |   2007.10.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.30)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 명성 대한민국 서울특별시 관악구
3 임지운 대한민국 서울 관악구
4 이민백 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0694824-16
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0118506-41
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0716537-23
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0886086-93
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0021047-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0593099-73
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1033880-13
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1033879-77
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0821692-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1나노구조체를 포함하는 채널층; 상기 채널층 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인; 상기 채널층 상에 구비된 제1터널절연층; 상기 제1터널절연층 상에 구비되고, 상기 제1나노구조체와 다른 제2나노구조체를 포함하는 제1전하트랩층; 상기 제1전하트랩층 상에 구비된 제1블로킹절연층; 및 상기 제1블로킹절연층 상에 구비된 제1컨트롤게이트;를 포함하고,상기 채널층은 친수성층 상에 구비되고, 상기 채널층 주위의 상기 친수성층 상에 소수성층이 구비되고, 상기 소수성층 상에 상기 소오스 및 상기 드레인이 구비되는 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1나노구조체는 양극성을 갖는 반도체 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1나노구조체는 나노와이어인 반도체 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제2나노구조체는 나노파티클인 반도체 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제1터널절연층은 순차 적층된 제1 및 제2절연층을 포함하고, 상기 제2절연층은 친수성분자층 또는 소수성분자층인 반도체 소자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 채널층과 이격된 제2컨트롤게이트를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2컨트롤게이트 사이에 상기 채널층이 구비되는 반도체 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 채널층과 상기 제2컨트롤게이트 사이에 제2전하트랩층; 상기 채널층과 상기 제2전하트랩층 사이에 제2터널절연층; 및 상기 제2전하트랩층과 상기 제2컨트롤게이트 사이에 제2블로킹절연층;을 더 포함하는 반도체 소자
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제2전하트랩층은 나노파티클을 포함하는 반도체 소자
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 소자는 트랜지스터 또는 비휘발성 메모리 소자인 반도체 소자
12 12
기판 상에 제1나노구조체를 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층의 양단에 각각 접촉하는 소오스 및 드레인을 형성하는 단계; 상기 채널층 상에 제1터널절연층을 형성하는 단계; 상기 제1터널절연층 상에 상기 제1나노구조체와 다른 제2나노구조체를 포함하는 제1전하트랩층을 형성하는 단계; 상기 제1전하트랩층 상에 제1블로킹절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1블로킹절연층 상에 제1컨트롤게이트를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 채널층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 비소수성층을 형성하는 단계; 상기 비소수성층 상에 상기 비소수성층의 제1영역을 노출시키는 개구부를 갖는 소수성층을 형성하는 단계; 및 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제1영역에 다수의 상기 제1나노구조체를 흡착시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제1나노구조체는 양극성을 갖는 반도체 소자의 제조방법
14 14
삭제
15 15
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 제1나노구조체는 나노와이어인 반도체 소자의 제조방법
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 제1터널절연층을 형성하는 단계는, 상기 채널층, 상기 소오스 및 상기 드레인을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 소오스 및 상기 드레인 사이의 상기 채널층 위쪽의 상기 절연층 상에 상기 제2나노구조체를 흡착하는 흡착층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계와 상기 흡착층을 형성하는 단계 사이에, 상기 절연층의 상기 흡착층 형성 영역 이외의 영역 상에 상기 제2나노구조체를 흡착하지 않는 반흡착층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
18 18
제 12, 16 및 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2나노구조체는 나노파티클인 반도체 소자의 제조방법
19 19
제 12 항에 있어서, 상기 채널층과 이격된 제2컨트롤게이트를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2컨트롤게이트 사이에 상기 채널층이 구비되는 반도체 소자의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 제2컨트롤게이트와 상기 채널층 사이에 제2전하트랩층을 형성하는 단계; 상기 제2컨트롤게이트와 상기 제2전하트랩층 사이에 제2블로킹절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제2전하트랩층과 상기 채널층 사이에 제2터널절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
21 21
청구항 1에 기재된 반도체 소자의 동작방법에 있어서, 상기 제1전하트랩층에 전하를 트랩시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 동작방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 전하는 전자 또는 정공(hole)인 반도체 소자의 동작방법
23 23
제 21 항에 있어서,상기 반도체 소자는 제2전하트랩층 및 제2컨트롤게이트를 더 포함하고, 상기 제2전하트랩층에 전자 또는 정공(hole)을 트랩시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 동작방법
24 24
제1나노구조체를 포함하는 채널층; 상기 채널층 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인; 상기 채널층 상에 구비된 제1터널절연층; 상기 제1터널절연층 상에 구비되고, 상기 제1나노구조체와 다른 제2나노구조체를 포함하는 제1전하트랩층; 상기 제1전하트랩층 상에 구비된 제1블로킹절연층; 및 상기 제1블로킹절연층 상에 구비된 제1컨트롤게이트;를 포함하고,상기 제1터널절연층은 순차 적층된 제1 및 제2절연층을 포함하고, 상기 제2절연층은 친수성분자층 및 소수성분자층 중 하나인 반도체 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101714576 CN 중국 FAMILY
2 JP05706077 JP 일본 FAMILY
3 JP22087519 JP 일본 FAMILY
4 US08063430 US 미국 FAMILY
5 US08558303 US 미국 FAMILY
6 US20090101962 US 미국 FAMILY
7 US20120012817 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101714576 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101714576 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2010087519 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5706077 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2009101962 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8063430 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.