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기판;상기 기판 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 접촉하며 그 사이에 형성된 나노구조체; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면 및 상기 나노구조체 표면을 덮도록 형성된 후각 수용체 단백질을 갖는 지질막을 포함하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제1항에 있어서,상기 나노구조체는 나노튜브, 나노와이어, 나노로드, 나노리본, 나노필름 및 나노볼로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 형태인트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제2항에 있어서,상기 나노구조체는 단일벽 탄소나노튜브인트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제1항에 있어서,상기 후각 수용체 단백질은 시스테인(cystein) 잔기를 포함하며, 특정 냄새물질이 결합하면 중성의 산 형태에서 음으로 대전된 염기 형태로 변화하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제1항에 있어서,상기 후각 수용체 단백질은 인간 후각 수용체 2AG1 단백질(human olfactory receptor 2AG1(hOR2AG1) protein)인트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리, 석영, 금속, 플라스틱 및 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 것인트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 백금, 금, 크롬, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐 및 티타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 일 이상의 금속으로 형성되는트랜지스터 기반 인공 후각 센서
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ⅰ) 기판 상에 나노구조체를 형성하는 단계;ⅱ) 상기 기판 상에 상기 나노구조체를 사이에 두고 서로 이격되어 배치되며, 각각 상기 나노구조체와 전기적으로 접촉하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및ⅲ) 후각 수용체 단백질을 갖는 지질막을 상기 나노구조체 표면 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면을 덮도록 형성하는 단계를 포함하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 ⅰ) 단계는기판 표면 상에 나노구조체에 대한 접촉에너지가 기판 표면보다 높은 분자로 이루어진 자기조립단층을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 기판을 나노구조체 함유 용액에 침지시키거나 또는 나노구조제 함유 기체에 노출시키는 단계; 및상기 자기조립단층이 형성되지 않은 노출된 기판 표면에 상기 나노구조체가 선택적으로 흡착되는 단계를 포함하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 나노구조체가 탄소나노튜브인 경우, 상기 자기조립단층을 이루는 나노구조체에 대한 접촉에너지가 기판 표면보다 높은 분자는 옥타데실트리클로로실란(OTS), 옥타데실트리메톡시실란(OTMS), 옥타데실트리에톡시실란(OTE) 및 옥타데칸싸이올(ODT)로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 분자인트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 자기조립단층 패터닝은 마이크로컨택 프린팅(microcontact printing), 포토리소그래피(photolithography), 딥-펜 나노리소그래피(dip-pen nanolithography), 전자빔 리소그래피(e-beam lithography), 이온-빔 리소그래피(ion-beam lithography), 나노 그래프팅(nano grafting), 나노 쉐이빙(nano shaving) 또는 STM 리소그래피(STM lithography)에 의하여 이루어지는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 ⅱ) 단계는 포토리소그래피, 물리기상증착법(physical vapor deposition(PVD)), 전자빔 증발법(e-beam evaporation) 또는 열 증발법(thermal evaporation)에 의하여 이루어지는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 ⅲ) 단계는 후각 수용체 단백질을 갖는 지질막 함유 용액을 상기 나노구조체 표면 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면 상에 퍼지게 한 후, 진공건조하여 후각 수용체 단백질을 고정시킴으로써 이루어지는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 나노구조체는 나노튜브, 나노와이어, 나노로드, 나노리본, 나노필름 및 나노볼로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 형태인트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 나노구조체는 단일벽 탄소나노튜브인트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 후각 수용체 단백질은 시스테인(cystein) 잔기를 포함하며, 특정 냄새물질이 결합하면 중성의 산 형태에서 음으로 대전된 염기 형태로 변화하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 후각 수용체 단백질은 인간 후각 수용체 2AG1 단백질(human olfactory receptor 2AG1(hOR2AG1) protein)인트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 제조방법
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제1항에 따른 트랜지스터 기반 인공 후각 센서에 냄새물질을 노출시키는 단계; 및상기 트랜지스터 기반 인공 후각 센서의 후각 수용체 단백질과 상기 냄새물질의 결합에 의하여 발생하는 컨덕턴스(conductance) 변화를 측정하는 단계를 포함하는트랜지스터 기반 인공 후각 센서를 이용하는 냄새물질의 검출방법
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제18항에 있어서,상기 냄새물질을 노출시키는 단계는 상기 트랜지스터 기반 인공 후각 센서에 냄새물질 함유 용액 또는 냄새물질 함유 기체를 접촉시킴으로써 이루어지는트랜지스터 기반 인공 후각 센서를 이용하는 냄새물질의 검출방법
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