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바이어스를 이용한 막 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015160274
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능한 막 증착 장치 및 막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버, 반응 가스를 챔버 내에 도입하는 가스 공급계, 도입되는 반응 가스를 해리시키기 위하여 열을 방출하는 필라멘트, 일정한 교류 및 직류 전압을 인가할 수 있는 전원, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 전원으로부터 인가된 전압을 이용해 기판의 상부, 측부 및 하부 중 적어도 어느 한 부분에 바이어스를 인가하며 기판과는 분리된 바이어스 도입부를 포함한다. 본 발명에 따른 막 증착 방법은 이러한 막 증착 장치 또는 다른 막 증착 장치를 이용할 수 있으며, 반응 가스를 해리시키는 단계, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 기판에 바이어스를 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반응 가스로부터 전하를 띤 나노 입자의 생성 거동을 반응 가스의 반응 조건에 의하여 변화시킬 수 있음과 동시에 이러한 생성 거동과 별도로, 일단 기상에서 생성된 전하를 띤 입자들의 전하 특성을 이용하여 바이어스를 인가하여 줌으로써 증착 거동 또한 개별적으로 조절하여, 이에 따른 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능해진다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01)
CPC H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01)
출원번호/일자 1020060085819 (2006.09.06)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0846718-0000 (2008.07.10)
공개번호/일자 10-2008-0022416 (2008.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황농문 대한민국 서울 서초구
2 이재익 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0644885-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032676-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0401051-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0628303-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0628308-53
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0628316-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0676969-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0930211-85
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0930233-89
11 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0930240-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0199833-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
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6 6
반응 가스를 해리시키는 단계; 및해리된 상기 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 상기 기판에 바이어스를 인가하는 단계를 포함하고,상기 반응 가스의 해리 정도를 조절하여 기상에서 전하를 띤 나노 입자들을 생성시키며 상기 나노 입자들이 가지는 (+) 및 (-)의 전기적 극성 비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판으로는 도전성 물질로 된 기판을 이용하고, 기상에서 생성된 상기 나노 입자들의 전기적 극성 비율이 가장 큰 극성과 반대되는 극성의 바이어스를 인가함으로써 증착 속도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 기판으로는 비도전성 물질 및 플라스틱 중 어느 하나로 된 기판을 이용하고, 기상에서 생성된 상기 나노 입자들의 전기적 극성 비율이 가장 큰 극성과 동일한 극성의 바이어스를 인가함으로써 증착 속도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 기판으로는 비도전성 물질 및 플라스틱 중 어느 하나로 된 기판을 이용하고, 상기 나노 입자들이 가지는 전기적 극성 비율을 증가시켜 막의 결정화도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
10 10
내부에 기판이 장입되는 챔버;반응 가스를 상기 챔버 내에 도입하는 가스 공급계;도입되는 상기 반응 가스를 해리시키기 위하여 열을 방출하는 필라멘트;일정한 교류 및 직류 전압을 인가할 수 있는 전원; 및해리된 상기 반응 가스로부터 상기 기판 상에 막을 증착하는 동안 상기 전원으로부터 인가된 전압을 이용해 상기 기판의 상부, 측부 및 하부 중 적어도 어느 한 부분에 바이어스를 인가하며 상기 기판과는 분리된 바이어스 도입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 막 증착 장치를 이용하며,상기 필라멘트를 이용하여 반응 가스를 해리시키는 단계; 및해리된 상기 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 상기 바이어스 도입부를 이용하여 상기 기판에 바이어스를 인가하는 단계를 포함하고,상기 반응 가스로 실레인과 수소의 혼합 가스를 사용하며, 상기 필라멘트의 온도, 상기 혼합 가스 중 실레인의 분율, 및 상기 혼합 가스의 압력 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 증가시켜 기상에서 전하를 띤 나노 입자들의 분율 및 크기 중 적어도 어느 하나를 변화시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 기판의 상부에서 상기 바이어스를 인가하여, 상기 나노 입자들이 상기 기판에 증착하기 전에 상기 나노 입자들의 하전량을 변경시킴으로써 증착되는 나노 입자들의 전기적 극성 비율을 변경시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
12 12
제10항에 있어서, 막 증착 단계를 생성 단계와 성장 단계를 나누어, 각 단계 내에서 기상에서 전하를 띤 나노 입자들의 분율 및 크기 중 적어도 어느 하나를 변화시키고 상기 나노 입자들이 상기 기판에 증착하기 전에 상기 나노 입자들의 하전량을 변경시킴으로써 증착되는 나노 입자들의 전기적 극성 비율을 변경시키는 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
13 13
제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 방법으로 실리콘막, 탄소 나노 튜브 및 나노 와이어 중의 어느 하나를 증착하며, 실리콘막의 경우 단결정 실리콘막, 비정질 실리콘막 및 다결정 실리콘막 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
14 14
제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 기판이 도전성 물질, 비도전성 물질 및 플라스틱 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
15 15
제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 바이어스를 인가하기 위한 전압은 +1000V ~ -1000V의 범위이고, 직류 또는 주파수 0
16 16
삭제
17 17
제10항에 있어서, 상기 기판과 바이어스 도입부 면적이 1 ~ 120000 cm2인 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 바이어스 도입부는 금속 재질인 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
19 19
제10항에 있어서, 상기 바이어스 도입부는 전기 전도도가 1000 ~ 10000000 (Ω·cm)-1인 것을 특징으로 하는 막 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR100875712 KR 대한민국 FAMILY
2 US20100183818 US 미국 FAMILY
3 WO2008030047 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2010183818 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.