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(가) 탄소나노튜브-졸을 제조하는 단계;(나) 상기 탄소나노튜브-졸을 졸-겔 코팅법을 이용하여 전극에 코팅하는 단계;(다) 상기 전극상에 코팅된 탄소노노튜브-졸을 겔화 하는 단계; 및(라) 상기 탄소나노튜브-겔을 가열하여 나노균열 사이로 깨끗한 표면을 갖는 탄소나노튜브를 노출시키며 이를 이용하여 탄소나노튜브들을 일정하게 절단시켜 균일하게 전극 표면에 배열시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 상기 CNT 분말로는 다양한 방법으로 제조된 single-walled CNT와 muti-walled CNT를 사용하는 것을 특징으로 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 졸-겔 코팅용 탄소나노튜브-졸은 탄소나노튜브 분말, 계면활성제, 용매 및 금속염을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서, 상기 계면활성제로는 Aquet, tetraoctylammonium bromide, SDS (sodium dodecyl sulfate) 등이 사용되며, 사용되는 상기 계면활성제는 상기 제조하고자 하는 탄소나노튜브-졸에서 탄소나노튜브의 원활한 분산 및 전극상에 형성된 탄소나노튜브-겔을 가열하여 균열이 생기는 정도를 고려하여 양이 결정되어 첨가되는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 탄소나노튜브를 원활히 분산시키기 위해 초음파 탐침 장치를 이용하여 분산시키는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 탄소나노튜브-졸을 전극 상에 코팅시킬 때 코팅효율을 높이기 위해, 또한 탄소나노튜브-겔 형성시 전극과의 접착력과 전도성을 증가시키기 위해 Mg(NO3)2, NiCl2, MgCl2 등의 다양한 전도성 금속염을 사용하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (나)와 (다) 단계에서 탄소나노튜브-졸을 졸-겔 코팅법을 이용하여 전극 상에 코팅시킨 후 진공오븐에서 탄소나노튜브-겔 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (라) 단계에서 탄소나노튜브-겔을 가열하여 나노균열을 조성하고 균열 사이로 깨끗한 표면을 갖는 탄소나노튜브를 노출시키며 이를 이용하여 탄소나노튜브들을 일정하게 절단시켜 균일하게 전극 표면에 배열시키는 것을 특징으로 하는 졸-겔 코팅법과 나노균열 생성기술을 이용한 탄소나노튜브 필드 에미터 제조 방법
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