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다공성 알루미나 나노틀을 이용한 규칙적으로 배열된 분자소자 어레이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159180
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공성 알루미나 나노틀을 이용하여 금속나노선-분자-금속나노선 배열을 가진 분자 소자 어레이(array)를 전해 석출(electrodeposition)와 분자의 자기조립(self-assembling)법을 이용하여 전자빔 리소그래피 등의 복잡한 방법을 사용하지 않고 제조하는 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법은, 균일한 지름의 세공(pore)이 규칙적으로 배열된 다공성 알루미나 나노틀을 제조하는 단계; 나노틀의 세공에 금, 은 등의 금속 나노선을 전기화학적인 방법으로 석출하는 단계; 세공에 전해 석출된 금속 나노선의 단면에 benzene-1,4-dithiol 등의 분자를 자기조립법으로 흡착시키는 단계; 다시 금속 나노선을 전기화학적인 방법으로 과석출(over deposit)시키는 단계; 나노틀의 알루미늄을 제거하는 단계; 세공 바닥의 산화층(barrier oxide)을 제거하는 단계; 이온 밀링(milling)하는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 분자 소자를 제조함으로써, 고밀도(1x1010 개/cm2)의 분자 소자들이 나노틀에 수직하게 그리고 육각형 모양으로 규칙적으로 배열된 구조를 갖는다.분자 소자, 다공성 알루미나 나노틀, 전해 석출, 분자 자기조립
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020050075961 (2005.08.18)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0704234-0000 (2007.03.30)
공개번호/일자 10-2007-0021578 (2007.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20070410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서정쌍 대한민국 서울 구로구
2 김나리 대한민국 경기 고양시 덕양구
3 김주래 대한민국 서울 관악구
4 구근회 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0455093-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0048464-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0420764-49
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-5074459-48
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0115056-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(가) 균일한 지름의 세공(pore)이 규칙적으로 배열된 다공성 알루미나 나노틀을 제조하는 단계;(나) 나노틀의 세공에 금, 은 등의 금속 나노선을 전기화학적인 방법으로 석출하는 단계;(다) 세공에 전해 석출된 금속 나노선의 끝 단면에 분자를 자기조립법으로 흡착시키는 단계;(라) 다시 금속 나노선을 전기화학적인 방법으로 과석출(over deposit)시키는 단계; (마) 나노틀의 알루미늄을 제거하는 단계;(바) 세공 바닥의 산화층을 제거하는 단계; 및(사) 표면을 이온 밀링(milling)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법
2 2
다공성 알루미나 나노틀의 세공에 금속나노선-분자-금속나노선 순으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노틀에 수직하며 규칙적으로 배열된 분자 소자 어레이
3 3
제 1항에 있어서,상기 (가) 단계에서 다공성 알루미나 나노틀은 2-step 혹은 multi-step anodization 방법을 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 (나) 단계에서, 다공성 나노틀의 세공에 전기화학적인 방법으로 은, 금 등의 금속나노선을 전해 석출하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 (다) 단계에서 다공성 알루미나 나노틀의 세공에 전해 석출된 금속 나노선의 단면에 분자 자기 조립법으로 benzene-1,4-dithiol, benzenethiol 등의 분자를 흡착시키는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 (라) 단계에서 다공성 알루미나 나노틀의 세공에 전해 석출된 금속나노선의 단면 표면에 분자를 자기조립한 후 금속 나노선을 다시 전해 석출하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나 나노틀을 이용한 분자 소자 어레이 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.