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다공성 알루미나 나노틀을 실리콘 웨이퍼에 접합하는기술을 이용한 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160894
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법으로서, 막(membrane) 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 만들고 실리콘 웨이퍼 표면에 수소결합으로 접합시킨후 압력을 가한 상태에서 온도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 ether결합으로 접합시키는 기술을 이용하여 만든 탄소나노튜브 전계방출소자 제조에 관한 기술의 개발이다. 나노틀을 실리콘 웨이퍼 표면에 접합시킨 후 세공의 지름은 산용액을 사용하여 조절이 가능하므로 다양한 지름을 갖는 탄소나노튜브를 제조할 수 있고 고온 성장조건에서 나노틀이 휘어지는 문제없이 고결정성을 갖는 균일한 높이로 수직배열된 탄소나노튜브를 전면적에 걸쳐 형성하여 제조할 수 있다. 팁 형태의 끝이 열린 탄소나노튜브와 막힌 탄소나노튜브를 실리콘 웨이퍼에 직접 접촉에 의해 성장시킬 수 있으므로 탄소나노튜브를 전자 방출원으로 응용하여 향상된 전계방출 특성을 갖는 소자를 구현할 수 있다.다공성 알루미나 나노틀, 실리콘 웨이퍼, 탄소나노튜브, 전계방출
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020050104027 (2005.11.01)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0724927-0000 (2007.05.28)
공개번호/일자 10-2007-0047186 (2007.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서정쌍 대한민국 서울 구로구
2 정현영 대한민국 서울 관악구
3 정성미 대한민국 부산 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0629294-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0670600-12
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-5003280-65
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0214751-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
균일한 지름의 세공이 규칙적으로 배열된 막 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 제조하는 단계; 실리콘 웨이퍼의 표면을 전처리하는 단계; 상기 막 형태의 알루미나 나노틀의 표면을 전처리하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼와 알루미나 나노틀을 수소결합과 에테르결합으로 단계적으로 접합시키는 단계; 상기 접합된 알루미나 나노틀의 세공 지름을 인산용액을 사용하여 조절하는 단계; 탄화수소 기체를 열분해시켜 상기 나노틀의 세공지름과 같은 크기의 지름을 갖는 끝이 열린 탄소나노튜브를 제조하는 단계; 상기 끝이 열린 탄소나노튜브 제조시 나노틀 표면의 무정형 탄소층을 이온밀링을 이용한 기계적으로 제거하는 단계; 상기 끝이 열린 탄소나노튜브의 팁을 인산용액으로 알루미나를 녹여 노출시키는 단계; 상기 끝이 열린 탄소나노튜브를 이용하여 재합성하여 끝이 막힌 탄소나노튜브를 제조하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
2 2
청구항 1항에 있어서, 막 형태의 다공성 알루미나 나노틀을 제조하는 단계는 산용액을 사용하여 화학적인 에칭방법으로 barrier layer를 제거하여 막 형태로 제조하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 표면을 전처리하는 단계는 불소를 이용하여 산화 실리콘층을 제거한 실리콘 웨이퍼를 유기용매를 이용하여 세척한 후 증류수를 이용하여 헹굼하여 상온의 공기중에서 건조시켜 실리콘 웨이퍼를 전처리하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 막 형태의 알루미나 나노틀의 표면을 전처리하는 단계는 나노틀을 유기용매를 이용하여 세척한 후 증류수를 이용하여 헹굼하여 상온의 공기중에서 건조시켜 나노틀을 전처리하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼와 알루미나 나노틀을 접합시키는 단계는 상기 실리콘 웨이퍼와 나노틀을 증류수에 담근 후 꺼내어 표면을 접촉시킨 상태에서 상온의 공기중에서 건조시켜 수소결합에 의해 1차 접합시킨 후 0
6 6
제 1항에 있어서, 끝이 열린 탄소나노튜브를 제조하는 단계는 탄화수소 기체를 열분해시키는 온도를 700~1000℃로 하여 탄소나노튜브의 결정성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 끝이 열린 탄소나노튜브의 팁을 노출시키는 단계는 알루미나를 녹일수 있는 인산용액을 사용하여 팁의 노출 길이를 시간에 따라 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 끝이 막힌 탄소나노튜브를 제조하는 단계는 상기 노출된 끝이 열린 탄소나노튜브를 이용하여 탄화수소 기체를 열분해시켜 재합성함으로써 열린 탄소나노튜브의 끝을 막은 후 1000℃에서 가열하여 탄소나노튜브를 제조하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출소자 제조방법
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