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ｎ형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015173795
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고온의 녹는점을 가지는 금속으로 고온에서도 안정한 고품위 오믹접촉을 형성시킨, n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광 다이오드에 사용되는 금속전극 및 그의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극은, 1500℃∼3500℃의 녹는점을 가지는 전이금속 또는 전이금속으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어지거나 In 또는 In 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광 다이오드용 금속전극에 의하면, 고온에서도 낮은 비접촉저항 및 평탄한 금속전극 표면을 유지하여 산화 아연계 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있고, 고온에서 안정한 산화물층을 전도층 및 확산 장벽으로 이용하게 됨으로써 발광다이오드 제작시 부가적 공정을 줄일 수 있으므로 산화 아연계 반도체의 상업화를 가속화시킬 것으로 기대된다.산화아연 반도체, 오믹접촉, 전도층, 확산장벽, 급속열처리, 발광다이오드
Int. CL H01L 33/40 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020010022331 (2001.04.25)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0082637 (2002.10.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.04.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 광주광역시북구
2 성태연 대한민국 광주광역시북구
3 김경국 대한민국 광주광역시북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0094598-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2003-0013086-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0192763-52
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0267918-22
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0317245-10
7 의견서
Written Opinion		 2003.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0353389-19
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0353391-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0109754-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

1500℃∼3500℃의 녹는점을 가지는 전이금속 또는 상기 전이금속으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극

2 2

제 1항에 있어서, 상기 전이금속은 Ru, Hf, Ir, Mo, Re, W, V, Pt, Pd 또는 Ta인 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극

3 3

In 또는 In 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극

4 4

제 3항에 있어서, 상기 In 화합물은 InSn, InZn, InMg 또는 InGa 인 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극

5 5

제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 두께는 1∼1,000nm인 것을 특징으로 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극

6 6

n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법에 있어서, 상기 금속전극은 상기 n형 산화아연계 반도체 상에 1500℃∼3500℃의 녹는점을 가지는 전이금속 또는 상기 상기 전이금속으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 합금을 증발법 또는 스펴터링법으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

7 7

제 6항에 있어서, 상기 전이금속은 Ru, Hf, Ir, Mo, Re, W, V, Pt, Pd 또는 Ta인 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

8 8

n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법에 있어서, 상기 금속전극은 상기 n형 산화아연계 반도체 상에 In 또는 In 화합물을 증발법 또는 스펴터링법으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

9 9

제 8항에 있어서, 상기 In 화합물은 InSn, InZn, InMg 또는 InGa 인 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

10 10

제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 금속전극을 형성한 다음에 산소, 질소, 또는 아르곤 분위기 하에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

11 11

제 10항에 있어서, 상기 열처리는 100℃∼1200℃의 온도에서 1초∼3시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 n형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP15017749 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2003017749 JP 일본 DOCDBFAMILY
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