| 1 |
1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 형성되며 구리계 산화물, 은계 산화물, 인듐계 산호물을 포함하는 제1군 물질 중 선택된 어느 하나의 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 형성된 제1오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Fe, Cr, Co, Rh, La, Ag, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, Nd, Eu, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제2군 첨가원소 중 적어도 하나와 상기 구리계 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Fe, Cr, Co, Rh, La, Al, Ga, In, Sc, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제3군 첨가원소 중 적어도 하나와 상기 은계 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Ta, Co, Rh, La, Al, Ga, Ni, Pd, Li, Sn, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제4군 첨가원소 중 적어도 하나와 상기 인듐계 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소중 적어도 하나를 포함하여 형성된 제2오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 제1군 물질에 대한 상기 첨가원소의 첨가비는 1 내지 99 오토믹 퍼센트 인 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 9 |
9
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 형성되며, 팔라듐코발트 산화물, 팔라듐크롬 산화물, 팔라듐로듐 산화물, 주석 산화물, 주석아연 산화물, 카드뮴주석 산화물, 나트륨코발트 산화물, 칼슘코발트 산화물, 아연안티몬 산화물, 란탄니켈 산화물, 나트륨니켈 산화물, 리튬니켈 산화물을 포함하는 제6군 물질 중 적어도 하나 이상으로 형성된 제1오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소중 적어도 하나를 포함하여 형성된 제2오믹컨택트층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자
|
| 13 |
13
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 n형 클래드층과 p형 클래드층이 상호 대향되게 적층된 발광칩의 상기 p형 클래드층 위에 구리계 산화물, 은계 산화물, 인듐계 산화물을 포함하는 제1군의 물질 중 어느 하나의 물질에 첨가원소가 첨가된 화합물로 제1오믹컨택트층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Fe, Cr, Co, Rh, La, Ag, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, Nd, Eu, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제2군 첨가원소 중 적어도 하나가 상기 구리계 산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Fe, Cr, Co, Rh, La, Al, Ga, In, Sc, Ni, Zn, Pd, Mg, Li, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제3군 첨가원소 중 적어도 하나가 상기 은계 산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층은 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Ta, Co, Rh, La, Al, Ga, Ni, Pd, Li, Sn, V 원소 또는 이 원소의 산화물을 포함하는 제4군 첨가원소 중 적어도 하나가 상기 인듐계 산화물에 함유되게 형성된 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제13항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소 중 적어도 하나를 포함하여 제2오믹컨택트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 18 |
18
제17항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 19 |
19
제17항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층 형성단계 이후에 설정된 온도로 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 800℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 21 |
21
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 주입된 전류에 의해 발광하는 산화아연계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 n형 클래드층과 p형 클래드층이 상호 대향되게 적층된 발광칩의 상기 p형 클래드층 위에 팔라듐코발트 산화물, 팔라듐크롬 산화물, 팔라듐로듐 산화물, 주석 산화물, 주석아연 산화물, 카드뮴주석 산화물, 나트륨코발트 산화물, 칼슘코발트 산화물, 아연안티몬 산화물, 란탄니켈 산화물, 나트륨니켈 산화물, 리튬니켈 산화물을 포함하는 제6군 산화물 중 적어도 하나의 산화물로 제1오믹컨택트층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 22 |
22
제21항에 있어서, 상기 제1오믹컨택트층 위에 Ni, Au, Cu, Co, Zn, Pd, Pt, Ru, Ag, Rh, Al을 포함하는 제5군 원소중 적어도 하나를 포함하여 제2오믹컨택트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 23 |
23
제22항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트은 1 내지 10,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 24 |
24
제22항에 있어서, 상기 제2오믹컨택트층 형성단계 이후에 설정된 온도로 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 25 |
25
제24항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 800℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
| 26 |
25
제24항에 있어서, 상기 열처리단계는 200℃ 내지 800℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광소자의 제조방법
|
