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자기 구조체를 구비하는 발광다이오드 및 자기 구조체를 구비하는 발광다이오드 패키지

  • 기술번호 : KST2015174602
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기 구조체를 구비하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드를 구비하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 상기 발광 다이오드는 베이스 기판 상에 차례로 배치된 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 하부에 배치된 자기 구조체를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 배치되며, 베이스 기판 상에 차례로 배치된 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체, 및 상기 발광 구조체 하부에 배치되는 자기구조체를 포함한다. 발광다이오드, 자기 구조체, 발광다이오드 패키지
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020090011324 (2009.02.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0092116 (2010.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강장원 대한민국 광주광역시 북구
2 오민석 대한민국 광주광역시 북구
3 조창희 대한민국 광주광역시 북구
4 박태영 대한민국 광주광역시 북구
5 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0086466-69
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0501701-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0000422-26
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0000430-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0348982-80
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0656981-89
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0745929-80
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0746135-13
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0092079-30
11 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0819847-03
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0097170-59
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0670685-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판 상에 차례로 배치된 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체; 및 상기 발광 구조체의 하부에 배치된 자기 구조체를 포함하는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기 구조체는 500G 내지 10000G의 자기력을 발생시키는 구조체인 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 자기 구조체는 영구자석 또는 전자석인 발광다이오드
4 4
패키지 기판; 상기 패키지 기판 상에 배치되며, 베이스 기판 상에 차례로 배치된 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체; 및 상기 발광 구조체 하부에 배치되는 자기구조체를 포함하는 발광다이오드 패키지
5 5
제4항에 있어서, 상기 자기 구조체는 상기 발광다이오드와 상기 패키지 기판 사이에 위치하는 발광다이오드 패키지
6 6
제4항에 있어서, 상기 자기 구조체는 상기 패키지 기판 하부에 위치하는 발광다이오드 패키지
7 7
제4항에 있어서, 상기 자기 구조체는 500G 내지 10000G의 자기력을 발생시키는 구조체인 발광다이오드 패키지
8 8
제4항에 있어서, 상기 자기 구조체는 영구자석 또는 전자석인 발광다이오드 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.