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기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재; 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는, 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체
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제1항에 있어서, 상기 나노막대가 상기 기재 상에 수직으로 성장되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체
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제1항에 있어서, 상기 나노막대가 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본 나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 재료로 형성된 것임을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체
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기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성하는 단계; 및상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시키는 단계를 포함하는, 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 일방향이 상기 기재에 대해 수직방향인 것을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 나노막대가 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본 나노튜브 중에서 선택된 재료로 형성된 것임을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법
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7
제4항에 있어서, 상기 나노 형광체의 증착이 스퍼터링, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스 레이저 증착법, 분자 빔 증착법, 화학증착법, 또는 스핀 코팅에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 나노 형광체를 증착시킨 다음 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법
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제1항의 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 포함하는 전자소자
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제1항의 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 포함하는 전자소자
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