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전계효과 트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR)

  • 기술번호 : KST2015229179
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터는, 상호 이격된 소스 영역과 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역을 연결하는 채널 영역이 정의된 기판, 기판 상에 형성된 게이트 절연막 구조물, 게이트 절연막 구조물 상에 소스 영역 및 드레인 영역 내에 각각 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 게이트 절연막 구조물 상에 채널 영역 내에 형성된 채널 및 채널을 전기적으로 온/오프시키도록 구비된 게이트 전극을 포함하고, 게이트 절연막 구조물은 채널 영역 내에 형성된 적어도 한 쌍의 저유전체와 고유전체를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/7812(2013.01) H01L 29/7812(2013.01)
출원번호/일자 1020140071562 (2014.06.12)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1632106-0000 (2016.06.14)
공개번호/일자 10-2015-0142509 (2015.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (20160620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규태 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 진준언 대한민국 서울특별시 강서구
3 최준희 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0550342-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0001787-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0400956-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0781249-23
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0781264-19
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0899054-52
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0181114-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0181124-53
10 등록결정서
Decision to grant
2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0413001-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상호 인접하는 소스 영역과 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하는 채널 영역이 정의된 기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막 구조물;상기 게이트 절연막 구조물 상에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 내에 각각 형성된 소스 전극과 드레인 전극;상기 게이트 절연막 구조물 상에 상기 채널 영역 내에 형성된 채널; 및상기 채널을 전기적으로 온/오프시키도록 구비된 게이트 전극을 포함하고,상기 게이트 절연막 구조물은 상기 채널 영역 내에 형성된 적어도 두 쌍의 저유전체와 고유전체를 포함하고,상기 고유전체 및 상기 저유전체는 상기 채널 영역을 가로질러 교대로 형성되어 주기적인 다중 배리어 포텐셜을 형성하고, 상기 채널은 그래핀 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 채널은 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 고유전체는 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 실리콘 질화물, 탄탈륨 산화물, 카보나이즈드 피엠엠에이(carbonized PMMA) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 저유전체는 실리콘 산화물, HSQ(hydrogen silsesquioxane), MSQ(methyl silsesquioxane), 폴리이미드(polyimide), 파릴렌(parylene), 보이드(void) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 고유전체 및 상기 저유전체는 2 이상의 유전율비를 갖는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막 구조물은 상기 고유전체 및 상기 저유전체 중 어느 하나가 다른 것의 상부 표면에 형성된 트렌치 내에 매립된 트렌치 구조를 갖는 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
8 8
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 기판의 후면에 배치된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.