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3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 및 이를 이용한 인공 뉴런 반도체 시스템(ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THREE DIMENSION STRUCTURE AND ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE SAME)
- 기술번호 : KST2016009249
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자는 클럭 신호가 인가되는 제1 전극 및 출력 신호가 발생되는 제2 전극; 절연 기둥; 적어도 하나의 시냅스 회로로부터 전기 신호를 수신하는 복수의 전극층들; 및 상기 절연 기둥에 의하여 적어도 두 개의 파트들로 분류되고, 상기 절연 기둥의 적어도 두 측면들과 맞닿아 있으며, 상기 복수의 전극층들에 의하여 상변화를 일으키는 상변화층을 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) |
| CPC | H01L 27/11514(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140141003 (2014.10.17) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2016-0046031 (2016.04.28) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2019.10.15) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송윤흡 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 정홍식 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0992574-16 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.11.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0191749-71 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2014.12.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1178518-11 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2018.10.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1059414-18 |
| 6 | 보정요구서 Request for Amendment |
2018.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0168056-58 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2018.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1075805-21 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2019.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1049613-42 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2020.09.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0611686-84 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2020.11.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-1173520-49 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 |
2020.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1173519-03 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 클럭 신호가 인가되는 제1 전극 및 출력 신호가 발생되는 제2 전극; 절연 기둥; 적어도 하나의 시냅스 회로로부터 전기 신호를 수신하는 복수의 전극층들; 및 상기 절연 기둥에 의하여 적어도 두 개의 파트들로 분류되고, 상기 절연 기둥의 적어도 두 측면들과 맞닿아 있으며, 상기 복수의 전극층들에 의하여 상변화를 일으키는 상변화층을 포함하는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 상변화층의 적어도 두 개의 파트들은 상기 절연 기둥의 하부 영역에서 서로 연결되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 상변화층은 칼코겐 화합물(chalcogenide)로 형성되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 상변화층은 상기 복수의 전극층들 각각을 통하여 수신되는 상기 전기 신호에 기초하여 결정화되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 결정화된 상변화층은 상기 제1 전극을 통하여 인가되는 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 신호를 상기 제2 전극으로 발생시키는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 6 |
6 제1항에 있어서,상기 상변화층에는 3차원 구조를 갖도록 상기 복수의 전극층들이 수직 방향으로 연결되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자 |
| 7 |
7 세포체 소자; 및 상기 세포체 소자와 연결되는 복수의 시냅스 소자들을 포함하고, 상기 세포체 소자 및 상기 복수의 시냅스 소자들 각각은 클럭 신호가 인가되는 제1 전극 및 출력 신호가 발생되는 제2 전극;절연 기둥; 적어도 하나의 회로로부터 전기 신호를 수신하는 복수의 전극층들; 및 상기 절연 기둥에 의하여 적어도 두 개의 파트들로 분류되고, 상기 절연 기둥의 적어도 두 측면들과 맞닿아 있으며, 상기 복수의 전극층들에 의하여 상변화를 일으키는 상변화층을 포함하는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 8 |
8 제7항에 있어서,상기 상변화층의 적어도 두 개의 파트들은 상기 절연 기둥의 하부 영역에서 서로 연결되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 9 |
9 제7항에 있어서,상기 세포체 소자 및 상기 복수의 시냅스 소자들 각각에 포함되는 상변화층은 칼코겐 화합물(chalcogenide)로 형성되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 10 |
10 제7항에 있어서,상기 세포체 소자에 포함되는 상변화층은상기 세포체 소자에 포함되는 복수의 전극층들 각각을 통하여 수신되는 상기 복수의 시냅스 소자들 각각의 출력 신호에 기초하여 결정화되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 11 |
11 제10항에 있어서,상기 결정화된 상변화층은 상기 세포체 소자에 포함되는 제1 전극을 통하여 인가되는 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 신호를 상기 세포체 소자에 포함되는 제2 전극으로 발생시키는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 12 |
12 제7항에 있어서,상기 상변화층에는 3차원 구조를 갖도록 상기 복수의 전극층들이 수직 방향으로 연결되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 13 |
13 제7항에 있어서,상기 복수의 시냅스 소자들 각각에 포함되는 상변화층은 상기 복수의 시냅스 소자들 각각에 포함되는 복수의 전극층들 각각을 통하여 수신되는 상기 전기 신호에 기초하여 결정화되는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 14 |
14 제13항에 있어서,상기 결정화된 상변화층은 상기 복수의 시냅스 소자들 각각에 포함되는 제1 전극을 통하여 인가되는 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 신호를 상기 복수의 시냅스 소자들 각각에 포함되는 제2 전극으로 발생시키는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 시스템 |
| 15 |
15 적어도 하나의 시냅스 회로로부터 전기 신호를 수신하는 복수의 전극층들 및 층간 절연막을 형성하기 위하여, 절연 물질 및 금속 전도 물질을 교대로 증착하는 단계; 상기 절연 물질 및 상기 금속 전도 물질을 패터닝하는 단계; 상기 복수의 전극층들에 의하여 상변화를 일으키는 상변화층을 상기 절연 물질 및 상기 금속 전도 물질이 패터닝된 영역에 상변화 물질로 형성하는 단계; 상기 상변화층의 표면에 절연 물질로 절연 기둥을 생성하는 단계; 및 클럭 신호가 인가되는 제1 전극 및 출력 신호가 발생되는 제2 전극을 생성하기 위하여, 상기 절연 기둥에 금속 전도 물질을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 상변화층을 상기 상변화층 물질로 형성하는 단계는 상기 상변화층이 상기 절연 기둥에 의하여 적어도 두 개의 파트들로 분류되고, 상기 절연 기둥의 적어도 두 측면들과 맞닿도록 상기 상변화층을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자를 제작하는 방법 |
| 16 |
16 제15항에 있어서,상기 상변화층을 상기 상변화층 물질로 형성하는 단계는상기 상변화층의 적어도 두 개의 파트들이 상기 절연 기둥의 하부 영역에서 서로 연결되도록 상기 상변화층을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자를 제작하는 방법 |
| 17 |
17 제15항에 있어서,상기 상변화층을 상기 상변화 물질로 형성하는 단계는 칼코겐 화합물(chalcogenide)로 상기 상변화층을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 구조의 인공 뉴런 반도체 소자를 제작하는 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US10014348 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20170221966 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2016060529 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US10014348 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2017221966 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2016060529 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0992574-16 |
| 2 | 보정요구서 | 2014.11.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0191749-71 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2014.12.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1178518-11 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2018.10.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1059414-18 |
| 6 | 보정요구서 | 2018.10.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0168056-58 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 | 2018.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1075805-21 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2019.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1049613-42 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2020.09.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0611686-84 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2020.11.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2020-1173520-49 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 | 2020.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1173519-03 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345228921 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 21A20131612767 |
| 연구과제명 | 융합 IT기반 미래가치 창조 인재양성 사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2014 |
| 연구기간 | 201309~202008 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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