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이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법(The Production Methods Of NanoGab Using Ion Milling And Etching)

  • 기술번호 : KST2017010774
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 (a)사파이어 기판 위에 크롬(Cr) 및 금(Au)층이 차례로 적층된 기저층을 준비하는 단계; (b)상기 기저층 위에 크롬(Cr); 및 알루미늄(Al) 또는 산화알루미늄(Al2O3)층으로 적층된 복수의 직사각형층을 일정한 간격으로 평행하게 패턴화하는 단계;(c)상기 패턴화된 직사각형층과 동일한 패턴으로 기저층의 크롬(Cr) 및 금(Au)을 이온밀링으로 제거하는 단계; (d)상기 제거 단계 후 원자층증착(ALD)방법으로 산화알루미늄(Al2O3)을 코팅하는 단계; (e)상기 코팅 단계 후 크롬(Cr), 금(Au)을 순서대로 증착하는 단계 및 (f)상기 증착단계 후 기저층 위에 패턴화된 직사각형층을 에칭으로 제거하는 단계로 구성된 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82B 3/00 (2016.12.16) C23C 16/455 (2016.12.16) C23C 16/12 (2016.12.16) C23G 1/14 (2016.12.16)
CPC
출원번호/일자 1020160168906 (2016.12.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0076559 (2017.07.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150185952   |   2015.12.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지윤 대한민국 서울특별시 관악구
2 이지예 대한민국 서울특별시 관악구
3 김대식 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-1217706-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0003598-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0238748-63
5 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0555134-06
6 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0555177-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0555193-89
8 보정요구서
Request for Amendment		 2018.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0087572-73
9 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2018.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0089666-13
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0655125-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)사파이어 기판 위에 크롬(Cr) 및 금(Au)층이 차례로 적층된 기저층을 준비하는 단계;(b)상기 기저층 위에 크롬(Cr); 및 알루미늄(Al) 또는 산화알루미늄(Al2O3)층으로 적층된 복수의 직사각형층을 일정한 간격으로 평행하게 패턴화하는 단계;(c)상기 패턴화된 직사각형층과 동일한 패턴으로 기저층의 크롬(Cr) 및 금(Au)을 이온밀링으로 제거하는 단계;(d)상기 제거 단계 후 원자층증착(ALD)방법으로 산화알루미늄(Al2O3)을 코팅하는 단계;(e)상기 코팅 단계 후 크롬(Cr), 금(Au)을 순서대로 증착하는 단계 및(f)상기 증착단계 후 기저층 위에 패턴화된 직사각형층을 에칭으로 제거하는 단계로 구성된 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계의 크롬(Cr)층은 두께가 1~10nm이고, 금(Au)층은 두께가 50~200nm인 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b)단계의 크롬(Cr)층은 두께가 15~50nm이고, 알루미늄층(Al) 또는 산화알루미늄(Al2O3)층은 100~200nm인 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (b)단계의 패턴화 방법으로 포토리소그라피 방법을 사용하는 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (d)단계에서 산화알루미늄(Al2O3) 코팅층은 1~10nm 두께로 코팅되는 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (e)단계에서 증착된 크롬(Cr) 및 금(Au)과 상기 (d)단계의 산화알루미늄(Al2O3)의 두께의 합은 상기 (a)단계의 크롬(Cr) 및 금(Au)층의 두께의 합과 동일하고, 상기 (e)단계에서 증착된 크롬(Cr)의 두께는 1~10nm인 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (f)단계에서 패턴화된 직사각형의 옆면에 노출된 크롬(Cr) 및 알루미늄층(Al)이 습식 에칭으로 제거되어 상기 크롬(Cr) 및 알루미늄층(Al) 위에 적층된 크롬(Cr) 및 금(Au)층이 함께 제거되어 평탄화된 기저층만 남는 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 나노갭의 갭의 너비는 (d)단계의 산화알루미늄(Al2O3)의 코팅두께와 일치하는 것에 특징이 있는 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나인 이온 밀링과 에칭을 이용한 나노갭 제조방법으로 제조된 나노갭
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 중견연구자지원사업-도약연구 Surface Plasmons plus: Opticla Field Mapping with 10 nm resolution
2 미래창조과학부 서울대학교 리더연구자지원사업-창의연구 양자 스케일의 고전전자기적 조작