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투명 금속산화막/금속/투명 금속산화막 보호층을 구비한 비정질 산화물 박막 트랜지스터(The amorphous Oxide Thin Film Transistor with transparent metal oxide/metal/transparent metal oxide passivation layer)

  • 기술번호 : KST2017017051
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치되고 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 절연층; 및 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층과 정렬되고 상기 절연층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 투명한 금속 산화물로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속층; 및 투명한 금속 산화물로 구성되고 상기 금속층 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2016.06.08) H01L 27/12 (2016.06.08)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020160053044 (2016.04.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123860 (2017.11.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구
3 이지윤 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0415510-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0042797-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0366036-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0713700-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0713699-07
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0835243-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치되고 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 절연층; 및상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층과 정렬되고 상기 절연층 상에 배치되는 보호층을 포함하고,상기 보호층은:투명한 금속 산화물로 구성된 하부 보호층;상기 하부 보호층 상에 배치된 금속층; 및투명한 금속 산화물로 구성되고 상기 금속층 상에 배치된 상부 보호층을 포함하고,상기 보호층은 460 nm 이하의 파장에서 50 퍼센트 이하의 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트렌지스터
2 2
제1 항에 있어서,상기 하부 보호층 및 상기 상부 보호층은 인듐주석산화물(ITO), ZnO, SnO2, TiO2, Ga-doped ZnO, 또는 Al-doped ZnO이고
3 3
제2 항에 있어서,상기 금속층의 두께는 10 nm 내지 20nm이고,상기 하부 보호층 및 상기 상부 보호층의 두께는 각각 30nm 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트렌지스터
4 4
기판;상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치되고 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 절연층; 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층과 정렬되고 상기 절연층 상에 배치되는 보호층; 및상기 보호층 상에 배치된 유기 발광층을 포함하고,상기 보호층은:투명한 금속 산화물로 구성된 하부 보호층;상기 하부 보호층 상에 배치된 금속층; 및투명한 금속 산화물로 구성되고 상기 금속층 상에 배치된 상부 보호층을 포함하고,상기 보호층은 상기 유기 발광층이 방출하는 스펙트럼 중에서 460 nm 이하의 파장 영역을 50 퍼센트 이하의 투과도를 가지고 차단하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
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1 WO2017188657 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017188657 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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