맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막 트랜지스터(THIN FILM TRANSISTOR)

  • 기술번호 : KST2018003392
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판(10), 기판(10) 상에 적층 형성되는 게이트전극(20), 게이트전극(20)의 상부에 형성되는 게이트 절연층(30), 게이트 절연층(30)의 상부에, 산화물 반도체가 배치되어 형성되는 채널층(40), 채널층(40) 상에, 굴절률이 서로 다른 다수의 물질이 층(layer)를 형성하며, 교대로 번갈아 적층되는 패시베이션층(50), 채널층(40)의 일측에 접촉되는 소스전극(60), 및 채널층(40)의 타측에 접촉되는 드레인전극(70)을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020160120447 (2016.09.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0031945 (2018.03.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.21)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구
3 이지윤 대한민국 부산광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0913033-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0053198-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0770744-81
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0014716-79
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0125598-47
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0219299-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0340462-80
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0340463-25
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0585758-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 적층 형성되는 게이트전극;상기 게이트전극의 상부에 형성되는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 상부에, 산화물 반도체가 배치되어 형성되는 채널층;상기 채널층 상에, 굴절률이 서로 다른 다수의 물질이 층(layer)를 형성하며, 교대로 번갈아 적층되는 패시베이션층;상기 채널층의 일측에 접촉되는 소스전극; 및상기 채널층의 타측에 접촉되는 드레인전극;을 포함하며,상기 패시베이션층은, 상대적으로 굴절률이 큰 제1 물질층, 및 상대적으로 굴절률이 작은 제2 물질층을 포함하고, 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층이 서로 교대로 적층되며,상기 제1 물질층은 TiO2, BaTiO3, Y2O3, Si2N4, 및 SiO 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지고,상기 제2 물질층은 MgO으로 이루어지며, 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층은 각각의 두께가 서로 다른 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 패시베이션층은상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층을 한 쌍으로 할 때에, 적어도 4 쌍 이상이 적층되는 박막 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
청구항 3에 있어서,어느 한 쌍의 상기 제1 물질층과 다른 한 쌍의 상기 제1 물질층은 서로 다른 물질로 이루어지는 박막 트랜지스터
7 7
청구항 3에 있어서,어는 한 쌍의 상기 제2 물질층과 다른 한 쌍의 상기 제2 물질층은 서로 다른 물질로 이루어지는 박막 트랜지스터
8 8
청구항 1에 있어서,상기 패시베이션층은 460 ㎜ 이하의 단파장 영역대의 빛을 반사시키는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.