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(1) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;(2) 기판과 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;(3) 상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 게이트 전극을 따라 산화물 반도체층을 형성하고, 상기 산화물 반도체층의 전체에 산소 공공(oxygen vacancy)이 포함되도록 소정의 전압을 인가하여 산소 공공을 유도하는 전기적 포밍 공정을 수행하거나, 상기 산화물 반도체층에서 소스 전극 및 드레인 전극이 증착되는 연결부에 산소 공공이 포함되도록 전기적 포밍 공정을 수행하는 단계; 및(5) 상기 게이트 전극의 양측에 각각 배치되도록, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 상기 산화물 반도체층 위에 각각 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (3)의 단계는,(3-1) 상기 게이트 절연막 위에 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계;(3-2) 상기 산화물 반도체층 위에 절연층을 증착하는 단계;(3-3) 상기 절연층 위에 금속층을 증착하는 단계; 및(3-4) 상기 금속층에 소정의 전압을 인가하여 상기 산화물 반도체층에 산소 공공을 유도하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 (3)의 단계와 상기 (5)의 단계 사이에,(4) 상기 금속층과 상기 절연층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 (3-2)의 단계에서, 상기 산화물 반도체층에 증착되는 절연층은 AlN, SiO2, Al2O3, NiO, HfO2, HfOx, MgO, TiO2, TiOx 및 ZnO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 (3-3)의 단계에서, 상기 절연층 위에 증착되는 금속층은 Pt, Ti, Al, Ta, Ni, W, Cu, Ag, Ir, Au, In, Ga, Zn 및 Cr 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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(1) 기판 상에 산화물 반도체층을 형성하고, 상기 산화물 반도체층의 전체에 산소 공공(oxygen vacancy)이 포함되도록 소정의 전압을 인가하여 산소 공공을 유도하는 전기적 포밍 공정을 수행하거나, 상기 산화물 반도체층에서 소스 전극 및 드레인 전극이 연결되는 연결부에 산소 공공이 포함되도록 전기적 포밍 공정을 수행하는 단계;(3) 상기 산화물 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;(4) 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및(5) 상기 산화물 반도체층의 양단에 각각 연결되도록, 상기 게이트 전극의 양측에 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (1)의 단계는,(1-1) 기판에 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계;(1-2) 상기 산화물 반도체층 위에 절연층을 증착하는 단계;(1-3) 상기 절연층 위에 금속층을 증착하는 단계; 및(1-4) 상기 금속층에 소정의 전압을 인가하여 상기 산화물 반도체층의 산소 공공을 유도하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (1)의 단계와 상기 (3)의 단계 사이에,(2) 상기 금속층과 상기 절연층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (1-2)의 단계에서, 상기 산화물 반도체층에 증착되는 절연층은 AlN, SiO2, Al2O3, NiO, HfO2, HfOx, MgO, TiO2, TiOx 및 ZnO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 (1-3)의 단계에서, 상기 절연층 위에 증착되는 금속층은 Pt, Ti, Al, Ta, Ni, W, Cu, Ag, Ir, Au, In, Ga, Zn 및 Cr 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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