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극성 용매에 금속 할라이드 페로브스카이트가 녹아있는 제1 용액과, 비극성 용매 또는 극성 용매에 계면활성제가 녹아있는 제2 용액을 준비하는 단계; 및불활성 기체를 흘려주는 장치 내에서 상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 섞고, 제1 용액과 제2 용액을 섞은 후에 재결정화가 일어나지 않고 에멀션(emulsion)을 형성하는 경우 탈유화제(Demulsifier)를 첨가하여 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 형성하는 단계를 포함하는,금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 불활성 기체를 흘려주는 장치 내의 불활성 기체의 유속은 1 mL/min 내지 500 mL/min 의 범위를 갖고,상기 불활성 기체는 질소(N2), 아르곤(Ag) 또는 이의 혼합 기체인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 불활성 기체를 흘려주는 장치 내에서 금속 할라이드 나노결정입자 형성시, 나노결정입자간의 오스트발트 라이프닝 발생이 억제되어 나노결정입자의 크기분포가 조절되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 섞는 단계는 스프레이 분무(spraying), 드리핑(dripping) 및 드로핑(dropping) 중에서 선택되는 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 섞는 단계는 상온 내지 150℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 계면활성제는 아민 리간드와, 유기산, 무기 리간드 또는 유기 암모늄 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 비극성 용매는 자일렌, 톨루엔, 헥산, 사이클로헥센, 다이클로로에틸렌, 트라이클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠 및 다이클로로벤젠 중에서 선택되고,상기 극성 용매는 다이메틸포름아마이드, 다이메틸설폭사이드, 감마 부티로락톤, N-메틸피롤리돈 및 이소프로필알콜 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제6항에 있어서,상기 아민 리간드는 N,N-디이소프로필에틸아민, 에틸렌 디아민, 헥사메틸렌테트라아민, 메틸아민, N,N,N,N-테트라메틸렌에틸렌디아민, 트리에틸아민, 디에탄올아민, 2,2-(에틸렌디옥실)비스-(에틸아민), 2-메틸-1,5-펜탄디아민, 3-메톡시트리페닐-아민, 1,4-페닐렌디아민, N,N,N,N-펜타메틸 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 로다민, 디에틸아민 및 에틸린디아민 중에서 선택되고,상기 유기산은 카르복실산 및 포스포닉산을 포함하고, 상기 카르복실산은 4,4'-아조비스(4-시아노팔레릭 에시드) (4,4'-Azobis(4-cyanovaleric acid)), 아세틱 에시드(Acetic acid), 5-마이노살리클릭 에시드(5-Aminosalicylic acid), 아크리릭 에시드(Acrylic acid), L-아스펜틱 에시드(L-Aspentic acid), 6-브로헥사노익 에시드(6-Bromohexanoic acid), 프로모아세틱 에시드(Bromoacetic acid), 다이클로로 아세틱 에시드(Dichloro acetic acid), 에틸렌디아민테트라아세틱 에시드(Ethylenediaminetetraacetic acid), 이소부티릭 에시드 (Isobutyric acid), 이타코닉 에시드(Itaconic acid), 말레익 에시드(Maleic acid), r-말레이미도부틸릭 에시드(r-Maleimidobutyric acid), L-말릭 에시드(L-Malic acid), 4-나이트로벤조익 에시드(4-Nitrobenzoic acid), 1-파이렌카르복실릭 에시드(1-Pyrenecarboxylic acid) 및 올레익 에시드(oleic acid) 중에서 선택되고, 상기 포스포닉산은 n-헥실포스포닉산, n-옥틸포스포닉산, n-데실포스포닉산, n-도데실포스포닉산, n-테트라데실포스포닉산, n-헥사데실포스포닉산, n-옥타데실포스포닉산, 벤질포스포닉산 및 벤즈하이드릴포스포닉산 중에서 선택되고,상기 유기 암모늄 리간드는 알킬(alkyl)-X의 구조를 가지는 리간드이고, 상기 알킬은 아실릭 알킬 (CnH2n+1); 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올을 포함하는 다가 알콜(CnH2n+1OH); 헥사데실 아민, 9-옥타데세닐아민, 1-아미노-9-옥타다센(C19H37N)을 포함하는 알킬아민(alkyl-N); p-치환된 아닐린, 페닐 암모늄 및 플루오린 암모늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 X는 Cl, Br 또는 I인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 탈유화제는 tert-부탄올인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 형성되는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자는 10 nm 내지 30 nm의 크기범위로 조절되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,제조된 페로브스카이트 나노결정입자는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6 사이의 정수)의 구조를 포함하고, 상기 A는 포름아미디늄，아세트아미디늄 또는 구아미디늄을 포함하는 아미디늄계 유기물질, 또는 유기암모늄 또는 알칼리 금속 물질이고, 상기 B는 금속물질 또는 유기 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제12항에 있어서,상기 유기암모늄 물질은 (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH3)n(CH3NH3)n, R(NH2)2 (여기서, R=alkyl), (CnH2n+1NH3)n, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)n, 및 (CnF2n+1NH3)n (n은 1~100의 정수, x는 1~3의 정수) 중에서 선택되고, 상기 알칼리금속 물질은 Na, K, Rb, Cs 또는 Fr이고, 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 유기 물질 또는 이들의 조합이고, 상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트는 도핑된 페로브스카이트인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법
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제14항에 있어서,상기 도핑된 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고, 상기 A의 일부가 A'로 치환되거나, 상기 B의 일부가 B'로 치환되거나, 상기 X의 일부가 X'로 치환된 것을 특징으로 하고,상기 A 및 A'는 포름아미디늄，아세트아미디늄 또는 구아미디늄을 포함하는 아미디늄계 유기물질, 유기암모늄 물질 또는 알칼리금속 물질이고, 상기 B 및 B'는 금속물질 또는 유기 물질이고, 상기 X 및 X'는 할로겐 원소인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법
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제15항에 있어서,상기 A의 일부가 A'로 치환되거나, 상기 B의 일부가 B'로 치환되거나, 상기 X의 일부가 X'로 치환된 비율이 0
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자는 코어-쉘 구조 또는 그래디언트 조성을 가지는 구조인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자는 발광체로서 사용되는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법
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제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하되, 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제18항 중 어느 한 항의 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법에 의해 형성된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 발광층을 포함하는 발광소자
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제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하되, 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제18항 중 어느 한 항의 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기분포 조절방법에 의해 형성된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 광활성층을 포함하는 태양전지
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