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(a) 일면으로부터 함몰된 게이트라인채널을 구비한 게이트라인 기판, 및 일면으로부터 함몰된 소스라인채널을 구비한 소스라인 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 게이트라인 기판의 타면과 상기 소스라인 기판의 일면을 결합하는 단계;(c) 각각 상기 게이트라인 기판을 관통하여, 일단이 상기 소스라인채널에 연결되는 다수의 소스연결통로를 형성하는 단계;(d) 유연하고 신축성을 가지는 어레이 기판에 다수의 온도센서가 이격 배치된 온도센서 어레이를 상기 소스라인 기판의 타면에 결합하는 단계;(e) 각각 상기 게이트라인 기판, 상기 소스라인 기판, 및 온도센서 어레이를 관통하여, 일단이 온도센서에 일대일로 대응되어 연결되는 다수의 드레인연결통로를 형성하는 단계; 및(f) 유연하고 신축성을 갖는 백플레인 기판의 상부에 게이트전극, 소스전극, 및 드레인전극을 각각 포함하는 다수의 박막트랜지스터가 배치된 백플레인을 상기 게이트라인 기판의 일면에 결합하는 단계;를 포함하고,각각의 상기 게이트전극은 상기 게이트라인채널에 연결되며, 각각의 상기 소스전극은 상기 소스연결통로의 타단과 일대일로 연결되고, 각각의 상기 드레인전극은 상기 드레인연결통로의 타단과 일대일로 연결되는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 게이트라인 기판은, 제1 주형에 유연하고 신축성을 갖는 제1 고분자물질이 주입되고 경화되어 형성되고,상기 소스라인 기판은,제2 주형에 유연하고 신축성을 갖는 제2 고분자물질이 주입되고 경화되어 형성되는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 게이트라인 기판 또는 상기 소스라인 기판 중 적어도 어느 하나에 제3 고분자물질을 스핀코팅하고, 상기 게이트라인 기판과 상기 소스라인 기판을 밀착시켜 결합시키는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 온도센서 어레이는,상기 어레이 기판의 일면이 상기 소스라인 기판에 결합되고, 상기 온도센서가 상기 어레이 기판의 타면에 배치되는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 온도센서는,상기 어레이 기판에 배치되는 고분자 필름; 및상기 고분자 필름 상에 폴리아닐린 나노파이버(polyaniline nanofiber)가 배치되어 형성된 전도층;을 포함하는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 게이트라인채널, 상기 소스라인채널, 상기 소스연결통로, 및 상기 드레인연결통로에 액체금속을 주입하는 단계;를 더 포함하는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 액체금속을 주입하는 단계는,상기 (e) 단계와 상기 (f) 단계 사이에서 이루어지거나, 또는 상기 (f) 단계 이후에 이루어지는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 백플레인은,상기 백플레인 기판의 상부에 상기 박막트랜지스터가 배치되고, 상기 백플레인 기판의 상부가 상기 게이트라인 기판에 결합되는 온도측정 디바이스 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 박막트랜지스터는,게이트 절연층이 단일벽 탄소나노튜브로 형성되는 온도측정 디바이스 제조방법
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