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홍채인식을 위한 단일 비트 CMOS 이미지센서

  • 기술번호 : KST2019031862
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 이미지의 픽셀 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기, 상기 비교기의 출력을 데이터로 저장하는 복수의 SRAM으로 구성되며, 두 개의 SRAM이 하나의 쌍을 이루는 SRAM부, 및 복수의 배타적 논리 게이트로 구성되며, 상기 하나의 쌍을 이루는 SRAM의 데이터 값이 하나의 배타적 논리 게이트로 인가되는 배타적 논리합부를 포함하고, 각 SRAM 워드라인의 제어를 통해 각 SRAM에 저장된 데이터가 상기 배타적 논리합부에 인가되며, 상기 배타적 논리합부의 출력 값을 이용하여 단일 비트의 경계정보가 도출되는 것을 특징으로 함으로써, 단일 비트 데이터 처리를 통해 저전력, 소형 홍채인식이 가능하다.
Int. CL H04N 5/335 (2011.01.01) G06K 9/00 (2006.01.01) H04N 5/369 (2011.01.01)
CPC H04N 5/3355(2013.01) H04N 5/3355(2013.01) H04N 5/3355(2013.01)
출원번호/일자 1020160099314 (2016.08.04)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1793217-0000 (2017.10.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송민규 대한민국 서울특별시 강남구
2 조용준 대한민국 경기도 하남시 대청로번

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0758039-47
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0519428-92
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0739084-36
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0739053-21
5 등록결정서
Decision to grant
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0738321-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이미지의 픽셀 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기;상기 비교기의 출력을 데이터로 저장하는 복수의 SRAM으로 구성되며, 두 개의 SRAM이 하나의 쌍을 이루는 SRAM부; 및복수의 배타적 논리 게이트로 구성되며, 상기 하나의 쌍을 이루는 SRAM의 데이터 값이 하나의 배타적 논리 게이트로 인가되는 배타적 논리합부를 포함하고,각 SRAM 워드라인의 제어를 통해 각 SRAM에 저장된 데이터가 상기 배타적 논리합부에 인가되며,상기 배타적 논리합부의 출력 값을 이용하여 단일 비트의 경계정보가 도출되고,상기 두 개의 SRAM이 이루는 각 SRAM 쌍들에 인가되는 펄스들 사이의 시간 간격이 지수적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기준 전압은,시간에 따라 선형적으로 증가하는 램프 전압인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 하나의 쌍을 이루는 두 개의 SRAM의 워드라인에 인가되는 펄스들 사이에 소정의 시간 간격을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 각 SRAM의 데이터를 증폭하여 상기 배타적 논리합부에 인가하는 증폭기를 더 포함하는 이미지 센서
7 7
이미지의 픽셀 전압과 기준 전압을 비교기가 비교하는 단계;상기 비교기의 출력을 데이터로 복수의 SRAM이 저장하는 단계; 및각 SRAM 워드라인의 제어를 통해 각 SRAM에 저장된 데이터 값을 배타적 논리합부에 인가하는 단계를 포함하고,상기 복수의 SRAM은 두 개의 SRAM이 하나의 쌍을 이루어 데이터 값이 하나의 배타적 논리 게이트로 인가되며,상기 배타적 논리합부는 복수의 배타적 논리 게이트로 구성되며,상기 배타적 논리합부의 출력 값을 이용하여 단일 비트의 경계정보가 도출되고,상기 각 SRAM에 저장된 데이터 값을 배타적 논리합부에 인가하는 단계는,상기 두 개의 SRAM이 이루는 각 SRAM 쌍들에 인가되는 펄스들을 펄스들 사이의 시간 간격이 지수적으로 감소하도록 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 기준 전압은,시간에 따라 선형적으로 증가하는 램프 전압인 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 각 SRAM에 저장된 데이터 값을 배타적 논리합부에 인가하는 단계는,상기 하나의 쌍을 이루는 두 개의 SRAM의 워드라인에 인가되는 펄스들을 소정의 시간 간격으로 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 7 항 내지 제 9 항 중에 어느 한 항의 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 동국대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 UHD 픽셀해상도 및 400fps 의 동작속도를 갖는 CMOS 이미지센서 개발