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소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터로서, 이차원물질을 포함하는 채널층;상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하며, 상기 게이트 절연막은 상이한 유전율의 절연막을 적어도 2개 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에는 제 1 절연막과 제 2 절연막이 구비되며, 상기 채널층과 접하는 제 1 절연막은 상기 게이트 전극과 접하는 제 2 절연막보다 높은 유전율을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 채널층은 전이금속 칼코겐 화합물(TMDC) 박막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 2항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 pV3D3(poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane) 폴리머이고, 상기 제 1 절연막은 금속산화물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 절연막의 유전율(k1)과 제 2 절연막의 유전율(k2)의 비(k1/k2)는 2이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 포함하는, 디스플레이
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게이트 전극을 기판 상에 형성하는 단계' 상기 게이트 전극 상에 제 1 절연막을 적층하는 단계; 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 적층하는 단계; 및 상기 제 2 절연막 상에 전이금속켄코겐 화합물을 포함하는 채널 박막을 전사시키는 단계를 포함하며, 상기 제 1 절연막은 상기 제 2 절연막보다 유전율이 높은 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 pV3D3(poly(1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinyl cyclotrisiloxane) 폴리머이고, 상기 제 1 절연막은 금속산화물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 제조방법은, 상기 제 2 절연막 상에 전이금속켄코겐 화합물을 포함하는 채널 박막을 전사시키는 단계 후, 상기 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 제조방법
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