| 1 |
1
(S1) 접지된 반응기 내에서 하부 기판 및 상기 하부 기판의 위쪽에 복수의 홀을 구비한 전도성 마스크를 이격시켜 배치하는 단계;(S2) 상기 전도성 마스크 및 하부 기판에 각각 서로 다른 크기의 전기장을 발생시켜 상기 마스크의 홀 주변으로 정전기 렌즈(electrostatic lens)를 형성하는 단계; (S3) 상기 반응기의 상부 입구를 통해 하전 나노입자를 도입하여 상기 정전기 렌즈에 의한 마스크 홀의 통과 및 하부 기판상에 증착을 유도하는 단계; 및 하기 단계 (S4) 및 (S5) 중 하나 이상의 단계를 포함하는 3차원 구조물의 제조 방법:(S4) 상기 전도성 마스크 및 기판 사이의 전기장 세기를 조절하여 구조물의 크기 변화를 유도하는 단계; 및(S5) 하부 기판을 3차원으로 이송시키면서 성장하는 3차원 나노구조물의 형상을 제어하는 단계
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전도성 마스크는 필름 기재의 일면 또는 양면에 금속 박막 코팅층을 구비하는 형태이거나 금속 메쉬 형태인 것인 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 금속 박막 코팅층 또는 금속 메쉬는 크롬(Cr), 금(Au) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것인 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), 인듐틴 옥사이드(ITO) 또는 실리콘 카바이드(SiC)으로 이루어진 것인 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 전도성 마스크 및 기판 사이의 전기장 세기는 5V/㎛ 내지 200V/㎛ 인 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 전도성 마스크 및 기판 사이의 전기장 세기는 16
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서 발생된 전기장의 세기(Enom)는 하기 수학식 1을 만족하는 제조방법:[수학식 1]Enom = 기판의 전압(V)/하전 나노입자의 이동거리(㎛)
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 하전 나노입자의 이동거리는 반응기의 상부 입구에서 기판 사이의 거리인 제조방법
|
| 9 |
9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 3차원 구조물로서, 하기 수학식 2를 만족하는 크기를 갖는 3차원 구조물:[수학식 2]상기 식에서,WD는 3차원 구조물의 밑기둥(stump)의 지름(㎛)이고,W는 전도성 마스크에 구비된 홀 사이의 간격(㎛)이고,ΔV는 전도성 마스크와 하부 기판 간의 전위차(V)이고, d는 전도성 마스크와 하부 기판 간의 이격 거리(㎛)이고,α는 상수이며,Enom는 전도성 마스크와 하부 기판 간의 전위차에 의해 발생된 전기장의 세기(V/㎛)이다
|
| 10 |
10
제9항에서, 상기 수학식 2에서 α의 값이 5인 3차원 구조물
|
| 11 |
11
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 사용하기 위한 장치로서, 접지된 반응기,상기 접지된 반응기 내에 위치한 하부 기판, 상기 접지된 반응기 내에서, 상기 하부 기판의 위쪽에 이격배치되며, 복수의 홀을 구비한 전도성 마스크, 상기 전도성 마스크 및 하부 기판에 각각 서로 다른 크기의 전기장을 발생시켜 상기 마스크의 홀 주변으로 정전기 렌즈(electrostatic lens)를 형성하기 위한 전기장 인가 수단; 상기 전도성 마스크 상부로 하전된 나노 입자를 도입하기 위한 나노 입자 도입 수단;상기 전도성 마스크 및 하부 기판에 인가되는 전기장의 크기를 조절하기 위한 전기장 조절 수단; 및 상기 하부 기판을 3차원으로 이송시키기 위한 이송 수단을 포함하는 3차원 구조물 제조 장치
|
